CCD芯片漏电的液晶失效定位分析研究.pdfVIP

CCD芯片漏电的液晶失效定位分析 姜小波 刘发 何小琦 信息产业部电子五所 (广州 1501信箱05分箱，510610) 摘要:某红外CCD焦平面芯片漏电流大是成品率低的一个主要原因，该种芯片面积大，面 积达1.lcmx1.7cm，常规方法进行失效定位存在很大的困难 本文利用液晶方法对其进行 了失效定位分析和失效机理分析，发现金属互连线未刻开是造成漏电的原因;另外，还发 现生产线中测时对芯片造成了机械擦伤，造成金属互连. 一、 介绍 液晶失效定位分析技术是一种经济、简便的失效定位方法。它只需少量的液晶材料和 一台普通的偏光显微镜，并且可根据需要使用不同类型的液 晶，采用不同的探测方法对不同的失效模式进行失效定位. 向列相液晶是一种温度敏感型的液态晶体材料，它具有 灵敏的相变特性，在很窄的相变温度范围内完成向列相分各 相同性相的相变过程，如右图所示。 红外CCD焦平面组件在夜视、制导和医用方面具有很 大的应用前景，红外CCD芯片在组件中占据重要地位。但红 外焦平面芯片在生产过程中发现其漏电流过大，是造成成品 率低的主要原因，严重阻碍了红外焦平面组件的发展。我们 对漏电流大的芯片进行了分析，希望通过失效模式和失效机理的分析，确定造成漏电的原 因.以提高芯片成品率.初步的分析获得了一定的成效，找到的部分失效原因。发现布线 区金属铝未刻开是造成芯片漏电的原因之一，另外，中测过程中的擦伤也造成了样品漏电 流过大。 该产品芯片面积较大，可能造成漏电的机理很多，因此，首先进行失效定位分析。我 们采用液品方法进行了失效定位分析。鉴于这些样品的漏电流虽然较大，但由于发热量 小，而且表面覆盖一层约6oooA钝化层，热在钝化层扩散，热量不集中。决定采用K一18 向列相液品，相变温度透明点是29.90C,是一种理想的室温型液品，具有良好的探测性能， 适用于各类偏光显微镜。 二、试验及结果 样品编号为2#,5#,11#和19#,漏电特性见表 鳌岛盆 云组 _ 表2.复测样品漏电特性 样品号 电压(V)VG(泌) F2A(pA) FIA(必) F4A(畔)F3A(时 )SS(必 ) 2 10 16 82000(4V) 83000(4V) 55000 0.0 3500 5 10 0.0 0.0 6.6 97000 97000 6.3 I1 10 248 47000 59000 37000 44000 131 19 10 85 100000(4V) 100000(4V) 55000 0.0 35000 表中，VG,F2A,FIA,F4A,F3A和SS表示芯片的管腿，某个管腿的漏电流表示 滩 在其上加高电平，其它管腿加低电平时在该管腿上测得的电流。测试条件与生产线的测试 条件相同。其中，2#样品生产线测试时合格，但从表1可看到出现漏电流. 样品经双列直插封装，在其表面涂上一层液晶，置于Nikonoptiphot-200型立式金相 显微镜下，通过直流稳压电源对漏电大的管腿加电压。调节所加的电压，漏电流产生的热 量使液晶发生相变，从各向异型相液晶转化为各向同性相，在偏振显微镜下观察，发热点