局部感应加热在MEMS圆片级封装中的应用设计与优化研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号:083306 局部感应加热在 MEMS 圆片级封装中的应 * 用设计与优化 1 1,2* 2 2 席炎炎 ，罗小兵 ，陈明祥 ，刘胜 1 (华中科技大学能源与动力工程学院，武汉，430074) 2 (华中科技大学武汉光电国家实验室MOEMS 研究部，武汉，430074) *通讯作者，Tel Email: luoxb@mail.hust.edu.cn 摘要: 微电子机械系统（MEMS）是近年来发展起来的一种新型多学科交叉的技术，该技术将对未来人 类生活产生革命性的影响。但是随着MEMS技术的发展，封装已成为阻碍MEMS商业化的主要技术瓶颈。 本文提出一种高频电磁局部感应加热应用于MEMS圆片级封装的方法，通过数值模拟对感应器的结构进 行设计与优化，实现了 MEMS 圆片级在均匀磁场中的均匀局部感应加热封装。结果表明：MEMS 圆片级 封装采用局部感应加热，可使各个器件性能保持一致，并可有效降低封装过程中热对芯片的影响，从 而大大减小了芯片的热应力，可有效提高MEMS器件的寿命。 关键词: 圆片级封装，感应加热，数值模拟，结构优化 0 前言 MEMS 封装技术主要来源于 IC 封装技术，如低温焊料键合、玻璃焊料键合、共晶键 合、粘胶键合等。为了研究 MEMS 局部感应加热封装问题，国内外不少研究者开展了相 关感应加热问题研究。K.Zakrzewski 等人【1-2】指出高频磁场中三种主要的磁场能量 损失，这三种损失都是感应加热的能量来源，这三种能量损失包括磁滞损失(Hysteresis loss)，涡流损失(Eddy current loss)和其他损失(Excess loss)。L.Lin 提出各式以局 部加热方式产生晶片结合于 MEMS 上【3-5】，这种局部加热方式大多是利用多晶硅材料 作为加热源。M. Sinder等人【6】通过理论计算和实验，得出结论：在直接垂直于其表 面的射频(RF)磁场中的硅衬底上的导体薄膜上进行快速热处理（RTP）是可行的，该项 技术可作为制备导体薄膜/硅衬底结构的新方法。金晓昌【7】从电磁场的基本理论出发， 讨论感应加热时电磁场的分布情况，分析趋肤效应以及相关因素。他通过理论推导，和 相关实验研究，发现处于纵向交变磁场中的圆柱形导体和高频状态下与电磁场在无限大 导体中传播一样，存在明显的趋肤效应。总结出感应加热技术比较适合导体的表面加热， 而且对导体的加热也是不均匀的。徐霖等人【8】通过模拟实验，得到在感应加热计算 机模拟过程中，模拟所取时间步长和网格粗细对感应加热的温度场及温度均匀性影响不 大，并经过对加热线圈的合理简化, 应用 ANSYS软件对实际感应加热过程进行模拟，可 使理论模拟结果与实测结果很好吻合。说明 ANSYS 有限元法模拟感应加热是可行的。吴 金富和许雪峰【9】从电磁场基本理论出发, 导出了长柱形导体感应加热中工件电磁场 及涡流密度分布的理论公式, 利用 MATLAB 作出了其分布曲线, 并进一步利用有限元分 析软件 ANSYS 对其进行了模拟, 形象描述了感应加热工件内电磁场及涡流密度分布规 律。两种方法计算结果的一致性充分说明了结果是可信的, 为进一步研究感应加热有限 * 863 项目《MEMS 感应局部加热封装设备研制》（2006AA04Z328 ） 元模拟提供了依据。 虽然有很多学者致力于感应加热的研究，将其运用于 MEMS 封装技术，并取得了不错 的效果。但很少有人将其应用于圆片级封装。相对于划片级封装，圆片级封装有其不可 比拟的优势。本文将感应局部加热应用于 MEMS 圆片级封装键合，借助数值计算对感应 器的结构进行设计与优化以得到均匀磁场，并通过数值模拟实现了 MEMS 圆片级在均匀 磁场中的均匀局部感应加热封装。 1 圆片级封装