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CdS纳米线有序阵列 曹化强徐正* (南京大学配位化学国家重点实验室 210093Tel:025-3593133Fax:025-3314502Emil:profzxuBilonline) 摘要:用溶胶-凝胶模板法在多孔氧化铭模板的孔道内制备US单晶纳米线有序阵列. 。晶体属于六角结构，电子衍封图数据与六角US晶格参数相匹配.CdS是一种重要的半导 体材料，单晶CdS纳米线阵列具有潜在应用. 最近几年，一维纳米材料的研究已成为材料科学的前沿[1.刀，无论是它们对科学发展 的重要性 例〔如纳米线，纳米管在理解量纲与尺寸对物理性质作用的基本概念方面的价值)， 还是因为它们在很广的范围内(包括化学，物理，电子学，光学，材料科学，生物医学等 方面)潜在的应用。已有许多方法可用来制备纳米结构材料[[3.61然而，制备有序单分散性 的单晶纳米线阵列仍是一个挑战性的课题。氧化铝模板具有均一和近乎平行的多孔结构， 可以用于制备直径均匀的纳米线阵列。但是以往用模板法合成的纳米线一般都为多晶。 CdS是一种重要的半导体材料，受到了很大关注[7.171。在多孔氧化铝模板电化学沉积方 法制备US纳米线已有报道(it.’”。但制得的纳米线存在堆积缺陷和扭曲，而且，氧化铝模 板在酸性电解质溶液中是不稳定的。这里我们报道一种用溶胶凝·胶法制各有序单晶US纳 米线阵列的方法。 实验: CdC22.5H20(A.R.),Na2S-9H20(A.R.)，六偏磷酸钠 (HMP)(C.P),(HSCH2CH20H) (C.P)。未经进一步提纯.氧化铝模板为WhatmanCorp提供。 US纳米线由类似YoshioNosaka等人报道[191的溶胶一凝胶法来合成。反应在室温下持 续5小时。US粒子沉积在孔壁及氧化铝模板两侧。将之从溶胶中取出并在空气中烘干。 模板两侧的US可用氧化铝粉抛光。在氢气氛下于5000C退火2小时，再在氢气氛下冷 却至室温。 2.结果与讨论: Fig.l为US纳米线阵列的SEM，其最大长度可达60微米，相应于模板厚度 (Fig.la). G81 (a) 山) .-1US纳米线SEM图。(a)俯视图，(b)局部侧面图. Fig.2a为CdS纳米线TEM图，Fig.26为电子衍射图。电子衍射图显示出六角对称。属 于纤锌矿结构.衍射点可指标化为(102),(104),(203)和(105)，相应的d=2.421，1.502,1.439, 1.244人。这与US六角晶体的d值匹配 (ASPDF6-0314)误差在3%以内。 单独一根CdS纳米线短于氧化铝模板厚度，这是由于用氧化铝粉抛光时折断所致。直 径相应于孔径 (Fig.2c)o {a) (b) M-2(a)直径在100-300纳米的CdS纳米线TEM图，(b)相应的电子衍射图。 参考文献 [11C.RMartni,Science1994,266,1961 G扫2 [2]Aspecialissueofthissubject:Chem.Mater.1996,8,1569. [31T.M.Whintey,J.S.Jiang,P.C.Searson,C.L.Chien,Science1993,261,1316. [4]D.丁Colbert,J.Zhang,S.M.McClure,PNikolaev,Z.ChemS.托Hafner,nW.Owens,P.G.Kotula,C.B Carter,J.H.Weaver,A.G.Rinzler,凡E.Smalley,Science1994,166,1218. [5]C.-G.Wu,T.Bein,Science19914,,266,1013. [6]H.Dai,E.W.Wong,丫Z.Lu,S.Fan,C.M.Lieber,Nature1995,375,769 [81M.L.Steigerwald,L.E.Brus,Ace.Chem.Res.1990,23