底栅微晶硅薄膜晶体管研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 底栅微晶硅薄膜晶体管研究 熊绍珍，李娟，刘建平，赵淑云，吴春亚，孟志国 南开大学光电子所，天津，300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室 张丽珠 天津工程师范学院，天津，300222 摘要：本文对底栅微晶硅TFT致为关键的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论，发 现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径。同时发现以SiNx为栅绝缘层对随后在其上生 长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20％)，故底栅微晶硅TFT，硅烷浓度不宜低于3％。 1、引言 因有机发光器件优异的自发光、快速响应与宽视角特色，自1987年C．w．Tang双 层薄膜型OLED研制成功以来i“，无论是从有源选址有机发光显示屏(AM一0LED)的研究还 是产业化角度，其发展均非常迅速。由今年5月在美国波士顿召开的信息显示学会年会 TFT) (SID’05)上韩国三星展示出尺寸可与LCD抗衡的40英寸非晶硅薄膜晶体管(a-Si i AMOLED样机，其性完全能与AMLCD媲美，有望成为LCD有力的竞争对手埋j。但是鉴于a—S TFT的不稳定性，尤其在用于电流型驱动的AM-OLED中，这种不稳定性更为突出。“。采用 多晶硅的薄膜晶体管(poly-SiTFT)，如固相晶化、(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金 属诱导晶化(MIC，MILC)等，均能够良好的 TFT， 解决TFT的稳定性问题。然而poly—Si 无论采用何种晶化工艺，均是两步晶化法， 给其实际应用带来不足。近年人们的研究 又发现，微晶硅№一Si 了其机理的“可恢复不稳定效应”。4，这给 laver ‘～～ 人以希望去解决AM-OLED应用中的实际问 题。为此我们探索这种能自恢复、能够与 a-Si TFT工艺非常相容的具有大面积能力 的微晶硅薄膜晶体管(№一SiTFT)是很 图1底栅微晶硅TFT的结构示意图 有意义的。 图l给出底栅微晶硅TFT的 结构示意图。由图可知。源漏间的 电流路径主要受栅绝缘层和交界 面处微晶硅特性限制。因此，底栅 结构的TFT，其性能除受界面态影 响之外，更强烈地依赖于有源层微 晶硅生长的起始状态，故研究的第 一步是其起始层问题。 2、玻璃衬底上生长微晶硅存在孵 固‘图2 of伍e TEMphotographypc．sifilm 化层訾纛山撕睇硅瞄谲酣黑黼 “一卜”1 图2示出微晶硅膜透射显微 硅薄膜从玻璃衬底开始生长到长成完整微晶硅膜的结构变化过程。即从玻璃衬底开始，先 ．．361．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 生长的是一结构无序(显示结构比较平滑)的、常被称为结晶孵化过程的“孵化层”，然 后有一个渐变区，到逐渐成长出一个较为完整的微晶硅材料(由黑线描述)。已知微晶硅 薄膜是由非晶、微小晶粒、晶粒间界和空洞组成的一种混和相材料I。；。由图2可知，微晶 硅确实是晶粒镶嵌于非晶硅网络中的混合结构。正是这种镶嵌，在材料结构中必然包含着 间界，以及由于微晶硅的柱状生长特征而导致的在各个不规则柱体之间的缝隙(空洞)的 存在。其孵化层的厚