Er2O3单晶薄膜的生长以及Er2O3Si异质结的能带偏移研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 Er203 单晶薄膜的生长以及Er203／si异质结 的能带偏移 朱燕艳徐闰陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏 (复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433) 摘要： ×10。6 Torr的条件下首次实现了Er。0。单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生 长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内易生成硅化铒，薄膜也趋于多 晶化。本文还利用光电子能谱对Er。0。／si异质结的能带偏差作了初步的研究。 PACC：7360H，7170C，3365F，7320C 1引言 近年来，随着集成电路中晶体管特征尺寸的迅速减小，已经成功使用了数十年的SiO。 或掺N的SiOz不再适合作为集成电路的基本元件——场效应管的栅介质材料。使用介电常 数比SiO：高的材料即所谓的高k材料替代SiOz是目前最有希望解决此问题的一个途径。 氧化物成为最近几年人们研究最多的材料。u’51但是很多问题还是无法得到很好的解决，如 高温后处理之后的界面反应等问题。因此，寻找一种比较合适的高k材料是一项很有意义 的工作。 氧化铒(Erz03)由于其比较高的介电常数(’14—31)，比较大的禁带宽度(、7eV)有望 成为下一代MOS栅介质强有力的竞争者旧。81。而且它具有很好的热稳定性，最近有文献报道， 和Y。0。，Gdz0。，Prz0。等氧化物相比，氧化铒经900℃退火后和硅衬底很少反应生硅酸铒。而 且晶体Er。0。具有Mnz0。立方结构，晶格常数为1．05nm，和硅晶格常数的2倍(1．086nm) 很接近，具有较低的失配度，因此容易制成高度择优取向的薄膜甚至单晶膜，是一种比 较理想的硅基外延生长候选介质材料旧1。另外质量好的氧化铒单晶还可以用作铁电材料、 On 高温超导材料甚至硅本身的缓冲层，也可以用在SOI(SiliconInsulator)器件上。 到目前为止，我们研究小组最先在硅衬底上制各了Erz0。单晶薄膜，并对Er。0。／si异质结的 能带偏差的数据作首次报道。 2实验 Q 使用1．5英寸P型中阻(2—10 方法清洗硅片。清洗好的硅片被立刻传样至RiberSSC超高真空分子束外延设备的生长室， 射式高能电子衍射(RHEED)观察。制备Er：0。单晶薄膜使用金属Er热蒸发源，生长时同时通 一定量的氧气。 薄膜的表面晶体结构用原位的RHEED观察，薄膜的化学组成使用原位的俄歇电子能谱 (AES)测试。用X射线衍射(XRD)表征薄膜的结晶学结构，薄膜的表面形貌使用原子力显微 镜(AFM)观察。薄膜的厚度由椭偏仪测定，使用电容——电压测试来获得薄膜的介电常数。 Er。0。／si的能带偏差用光电子能谱(XPS)确定。 ——295—— 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 3结果与讨论 为了研究生长条件对Er。0。薄膜质量的影响，我们对衬底温度和氧气分压对Erz0。单晶 薄膜生长的影响做了系统的研究。图1是衬底温度为700℃，氧气分压分别为a)7×10“Torr： x b)1．210书Torr：c)0．6×101Torr，在Si(001)衬底上生长的Er203薄膜的XRD图谱。 根据图l，结合RHEED图案，可以得出结论，在700℃、7×10。6t的条件下生长的Erz0。薄膜 是(110)取向的单晶薄膜，而在相同的衬底温度，比较低的氧气压条件下生长的ErzOs薄膜 就有硅化物形成。图2是在相同的衬底温度(700℃)不同的氧气压下生长的Er。Os薄膜的XRD 结果。从图上可以清楚地看出在衬底温度低于700℃时生长的Er20。薄膜是多晶或非晶的。 图3是不同的衬底温度和不同的氧气分压条件下生长的ErzO。薄膜的AFM形貌图。由图中可以 看出，Erz0。单晶薄膜的表面是比较致密的，而且表面是岛状的，说明Erzos单晶薄膜是岛状 生长的。但是在较低的衬底温度或者较低的氧气分压的情况下生成的Erz0。薄膜表面有明显 的孔洞存在。根据以前的文献报道，这些孔洞被认为是和硅化铒有