CMOS+TDDB栅氧化层击穿模型的改进研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 CMOS TDDB栅氧化层击穿模型的改进 廖京宁，郭春生，刘鹏飞，李志国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100022) 摘要：随着CMOSIC工艺尺寸的缩小，发现以前的TDDB栅氧化层击穿模型不再适用于 薄栅氧化层器件，不能提供需要精度的计算结果，而薄栅氧化层的可靠性又是CMOS集成 电路失效的重要原因之一。因此，模型的改进，对与CMOSIC可靠性的估计有重要的意义。 IC 关键词：TDDB；可靠性；CMOS l Thedevel ofCMOSTDDBmode opment Abstract：WithCMOSIC itfoundthattheconventionalTDDBmodel technologyscaling cannot the forcalculationand the providenecessaryaccuracy prediction．And of ofthin oxidesiSalsoone themost inCMOS reliabilitygate importantproblems the ofCMOSTDDB is circuits．Sodevelopment modelveryimportant． integrated words：TDDB； IC Key Reliability；CMOS 1．引言 IC 为了提高微处理器和存储器的性能，减小晶体管特征尺寸是最主要的方法。CMOS 工艺尺寸每减d、30％，就会提高最高时钟频率43％，同时减小门延迟30％；成倍的增加器 件的集成度；减小30％的寄生电容；分别降低能耗和每次门状态转换时的动态能耗65％和 50％。‘1H31 随着数字集成电路日益复杂，可以预料功耗问题在未来的工艺中将会更加严重。这是 降低电源电压正在变的越来越吸引人的地方。原因在于，降低K。可以减小器件的内部电 场；对动态功耗的减小呈二次方H1。随着K。的降低，W也要相应的降低，来维持漏区电 流的驱动。然而，降低坼将导致截止状态下漏电流的增加，这将是要面临U降低带来的 主要问题。 在加速寿命试验中，温度和¨n经常被用来作为加速的因子。提高温度和电压，可以 在较短的时间内诱发芯片中潜在的失效。脆弱的栅氧化层是CMOS芯片中主要的失效部分。 随着芯片工艺尺寸的缩小，一些失效模型也将不在适用。本文中介绍了目前被广泛使用的 TDDB栅氧化层失效的模型。 TDDB绝缘栅击穿模型嘲嘲： 基本的TDDB绝缘栅击穿物理模型可以分为两类：内在的和外在的氧化层的击穿机理两 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 种。内在的氧化层击穿发生在无缺陷的氧化层部分，它的失效机理可以被认为是栅氧化层 中积累的电荷密度在不同界面间的穿通，它是一种累积失效。而外在的氧化层击穿机理是 由于氧化层中的各种缺陷引起的，这种失效机理是由于离子损伤，氧化层中内部机械应力 损伤，玷污，热载流子损伤，或者是离子注入产成的损伤引起的。 目前E模型(空穴击穿模型)和1／E模型(热化学击穿模型)被广