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CMOS电路ESD潜在扳伤定位分析研究 来萍 刘发 罗宏伟 (信产部电子五所研究分析中心，广州1501信箱05分箱，510610) .要:本文限迷了对CMOs电路进行的停电放电(mE.)潜在级份定位分析研究. 介绍了几种软典纽的级右现氛 分析了相关的翻有机理、并研究了潜在撅份电路的农现 特点及共与I一v特性和静态犯流交化之祠的关系. 关位门:C1116电路 ES潜在祖份 定位 1棍途 Cf106电路的L 潜在拐份从本质上来说也是一种失效，因此各种失效分析技术同样 适用于ESD潜在损伤的定位和分析。本文主要的研究内容是:对经历了L 试脸，在 I-V特性和价奋电沈方百表现斑瀚在翻伤的Cac‘电路进行解例分析，采用光学显徽钱、 滚舀、扫描电位(SEN)、化举启蚀傅手段，根据I-V特性和静春电谁的表征，有针对性 的进行报伤定位，分析了相关的报伤机理，并研究潜在很份电路的衰瑰特点及其与I-V 特性和.右电滋交化之间的关系。 2(m 电路ESD潜在拐伤电路的几种典型表现 2·b暇化层介质和辛导件之阅的界百击穿 班在多橄Cllf16电璐的幼入抽山端口都设计有ESD保护网络，这时的ESD拐伤和失 效往往发生在保护网络而非内韶电路。在对JC4000系列中在I-V钧性和静奋小电谁参 盈方面衰现出油在报伤特征的电路进行解例分析发现，多盆电路在保护网络有明显报伤 现象，并衰现为愉入和翰出端金属化窗口与电薄金属化之间的介质一半导体界面的击穿。 图1是典型照片，图2是翻面示玄田，从圈中可以粉到击穿发生在电滚vm金属化跨越 轴入或钧出端的低阻连接桥处。 介质和半导体界面的击穿也是多种CIm 电路END损伤失效的典型表现，其损伤的 机理是介质一一半导体界面发生了过电压击穿，损伤严，时还有过热烧胶现象。其损伤 过程是:当相距1%m(见图9b)的抽入端和电洲幼之间受到一个大于1kV的放电电压时， 就会产生一个大于IUsv/.的瞬间电场，由于介质一半导体界面存在大tI的缺陷和杂质， 其梢向击穿弓度较低，在上述电场强度下就会发生界面击穿。 由于JC4000系列的多个ESD损伤和失效电路的ESD介质一半导体击穿都出现在电源 (、)金属嗯t越愉入或钧出端的低阻连接桥处，说明这是 SD敏感结构，应进行设计 251二 方面的改进.具体的改进方法有:一是改变场金属化布线，避免跨越结构;二是优化连 接桥的工艺和尺寸，如增加桥的 “长度”:三是增加物出和电派端的留0保护电路。 a)( 光学显徽照片 (b) (a)的局部放大的5四像 c()光学且徽照片 )d〔 c()的局部放大的5叹像 图1介质一半导体界面击穿的典型形貌像 拐伤娜位 图2介质一半导体界面击穿的例面示愈图 .乃2. 2.2’金属化窗口拐角处的份结扭伤和或介质一半导律击穿 当·粉入、物出的金揪郁与电抓世间的距脱远时，。。扭伤会发蛛如 化宙口的拐角处，使保护二极管的侧发生拐伤甚至也会出现介质一半导体击穿.主要的 损伤机理是由于拐角处电肠集中、场甄较高，导致即结拐伤成发生介一半击穿.曰ja)( 是一电路抽入金属化窗口拐角处 刚结摄伤的光栩射里徽日像，图3(b)是另一料品在拐 角处炭生介质一卒导体击穿的光学显徽点片。 一半导体击穿的光学里徽照片。 2.『娜胎愉翻区该址孔翻拓 公沁理万4出泊的臼D潜在损伤以及失效电路表现为部分抽入或抽出端口的1一v枯性 变软、肠电增大.对样品进行解剖分析时发现，损伤都发生在物入保护网络以及翰出驱 动的翻洲万管 (没有输出保护结构)的派区接触孔，并有指向梅区的烙触缺陷.图4a)( 是输入保护入甘粥管漏区报伤的液晶图像，图4(b)是将钝化层和金月化剥离后的光学显 徽图像。图5是愉出N甘万管相应的图像，图6是损伤的例面示意图。 这种损伤现象也曾见于其他报道中，其主要机理是:ESD高电压在