CMOS模拟集成温度传感器的设计研究.pdfVIP

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2018-01-14 发布于广东
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CMOS模拟集成温度传感器的设计研究.pdf

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CMOS模拟集成温度传感器的设计吴孙桃2’ 钟灿啦林凡1,2李静1’2黄暄2郭东辉1 1．厦门大学物理系 2．萨本栋微机电研究中心厦门 361005 摘要：设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器，并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路，以保证电路工作点正常与性能优良．该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真，仿真结果表明其电源抑制比可以达到 “dB，在．500C一1500C温度范围内，电压温度系数可以达到2．9mV／K，线性度良好．关键词：CMOS集成温度传感器ESD保护启动电路电源抑制比以往大多数的集成温度传感器是用双极型工艺实现的，诚然双极型温度传感器具有稳定性好、灵敏度高、可预测性高和时间非依赖性强等优点，但却无法进一步降低功耗‘¨。随着IC集成度的提高和便携式设备的一芯片上进行信号调节和信号处理等优点。本文介绍一种具有线性度良好、电源抑制比高的CMOS模拟集成温度传感器的设计。 1。电路结构设计的CMOS模拟集成温度传感器的电路结构如图1所示。 ● l I 1：r_ ，_J：L 、尸‘产墨 i‘#l MP3 MP7 MP4MP5MP6： IB。 ’ ● i R2j ● 匕置L12 - A ● MP9 ：R4hj 卜 ● ● 一 ● ● --F．, ● ● ● ● ●R．：扎 MNlMN2 MN3： cM：N4 g M