CMOS运算放大器恒流偏置电路的电离辐射损伤特性研究.pdfVIP

第，届全国核电子学与核探侧技术学术年会论文集 Proceedingsofthe9thNationalConferenceonNuclearElectronicsNuclearDetectionTectnology CMOs运算放大器恒流偏置电路的 电离辐射损伤特性 陆妩 郭旗 任迪远 余学锋 张国强 范隆 严荣良 (中国科学院新粗物理研究所，乌奋木齐，830011) 赵元富 胡浴红 王明刚 (航天工业总公司七七一研究所) 本文介绍了确定CMOs运算放大翻各级工作点的恨邃派偏里电璐吐辐班总荆t变化的响应特征，及其 辐屁橄感性对运放整体性能参数的形响规律。结果表明.值注砚特性的衰阵对电今数的交化有一定的形响. 但在一定范口内并不是造成辐射感生运放电乡数衰变的最主要原因。 关.词二CMOs 运算放大器 辐射效应 偏3电路 1 引言 近年来.随粉杭辐射研究工作的深入，国内在CMOs致字电路的抗辐射加固技术方面已 经取得了较大的进展，但是有关CMOs线性电路的抗辐射加固工作，目前尚处在起步阶段。这 一方面是由于线性电路在工作原理、电路结构及性能等方面与数字电路相比有着较大区别，其 辐射响应特性和撅伤规律也有明显差异，比数字电路更为复杂。另一方面刻是由于将在致字电 路抗辐射加固中取得成功的加固工艺，应用于线性电路时并未取得班想的加固效果，必须盆新 开辟新的研究途径。因此，对CMOs线性电路的加固研究是一项比数字电路更为复杂和艰巨 的任务。作为突破口，我们首选了线性电路中最基本的单元— CMOS运算放大器作为研究 对象进行了研究，以期在该领城内能获得新的研究进展。 由于运算放大器电路分别由不同功能单元的子电路构成，而各功能单元又是既互相独立 又互相联系的。因此，在电离辐射环境中，如何搞清楚各功能单元之间的相互关系和相互形响 以及各子电路的辐射敏感性对运放整体性能参数造成的变化，是解决运放抗辐射加固技术的 关健，也是我们首先需要研究的问题.为了这个目的:我们针对性地特别设计了既可侧试其单 元性能参数又可考察整体性能特性的运放电路，并对其进行了辐照试验，系统地研究了各子电 路的节点电流、电压的变化和与之相关的MOSFET的衰降特性及各子电路的辐射敏感性对 运放电参数的响应规律.本文主要介绍了确定运算放大器静悉工作点的恒流撅偏f电路随辐 照总剂t的变化特征以及对整体性能电参数的影响情况，并对其损伤机理进行了探讨。 2 实验样品和实验方法 实验样品为国产CMOS运算放大器电路.为了便于分析研究，将运放电路设计成由差分 10 对、恒流偏里电路、放大级和输出级几个功能单元组成的既互相联系又相互独立的结构。在该 电路中，将各功能节点的接线引出可分别测试各单元的性能参数，相互连接又可组成结构不同 的整体运放电路，以完成整体性能参致侧试。 运放的电参致浏试由自肠的计算机控衬多功能 自动采集浏试系统完成。该套洲试系统不仅能完成 运放电路各功能单元特性、艳入差分单管特性和整 体性能今数等的侧试，还能在两个相同样品(一个进 行辐照，一个不辐照)间进行各功能单元的替换，以 月 一 研究不同功能单元的辐射教感性对运放电路辐射损 伤的贡献。 辐照派为本所5.4PBq的.C07镇，辐照荆f率 为0.OSGy/s,在辐服期间，将运放的两个翰入端接 一一-一-占，-一-‘一 r皿 地，使之处于零偏状态，同时电砚电压接正负5V电 图1运放值涟伯f电路示盆19。 压。 每次辐照前后洲试的电参数有:各单元子电路的节点电流、电压，差分对单管特性I-V 和跨导 ‘及运放电路整体性能参歌失调电压(Y)、共棋抑侧比(CMRR)等。上述所有参数侧 试在辐照后20min之内完成。 3实验结果和讨论 线性集成电路和致字集成电路的主要区别之一是内部的工作电流.该电流将确定各电路 内部晶体管的增益，它决定于复杂的电流裸而不是电困值。因此，电流探的性能正常与否将直 接关系到整个电路的工作状态。 图1为两种不