CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统研究.pdfVIP

第9届全国核电子学与核探翻技术学术年会论文集 Proceedingsofthe91hNatoinalConferenceonNuclearElecrtonicsNuclearDetecdanTechnology CMOs运算放大器内部电路电离辐射 损伤研究测试系统 郭旗 陆妩 任迪远 余学锋 张国强 范隆 严荣良 (中国科学院新班物理研究所，乌.木齐，830011) 本文介绍了一种计算机控侧的运算放大吞内部单元电路扭伤试脸砚试系筑，该系旋既能侧t运放电路 整体性能今数在电离粗射环境中的交化，又可以观察电路内部各功位单元电璐和MCsm 的辐砚报份特 性.并且能够对不同功能单元电路的报伤对电路整体性能的形响进行洲试，为从内都研究CMCS运算放大吞 的电离辐射扭伤机理提供了有效的手段。 类性词XNfOs运算放大器 辐封效应 伯f电a 1 引言 近年来，对CMOs致宇电路的电离辐射扭伤机理和加固技术的研究取得了且若的进展， 而CMOs棋拟级性电路这方面的研究则明且处于相对添后的水平，在CMOS狱字电路加固技 术上取得成功的工艺和方法用于CMOs模拟线性电路并没有获得预期的加固效果Ell.这主要 是由于线性电路的工作原理、结构与致字电路有较大差异，其内部各功能单元电路的晶体管处 于不同的工作状态，其辐射敏感程度不同，对电路性能退化所起的作用也不同，而电路性能参 数又是各功能单元的晶体管综合作用和运算的结果。在电离辐射环境中，电参数的变化并不直 接反映电路内部的扭伤份况，而单管抓伤机理研究的结果也很难与电路性能的退化建立直接 的对映关系，因此，研究CMOS线性电路内部不同功能单元的辐射报伤特性及其对电路鑫数 退化的贡献，对于深入了解CMOS线性电路的扭伤机理，进而寻求有效的加固途径有十分盆 要的意义。 国内外曾有人利用扫描电子显徽镜对双极运放电路的不同部位分别进行辐照来研究各功 能单元特性的变化对运放整体性能的影响，我们也曾进行过这类试脸，发现要将电子束准确地 聚焦并定位到特定的区域有一定的难度，需花费一定的时间，而在这一过程中，电路的其它部 位也同时受到了辐照。对于辐射扭伤阅值较低，对电子辐服相当敏感的CMOs运放电路来说， 在对其特定部位进行辐照之前，电路参数就已发生了较大退化甚至失效，无法将该单元的损伤 对电路性能的形响有效地分离出来。为了解决这个向题，我们针对专门设计的试脸样品电路， 建立了一套计算机控侧的运算放大器内部单元电路报伤试脸侧试系统，该系统既能侧t运放 电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化，又可以观察电路内部各功能单元的辐服报伤特 性，并且能够对不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行侧试，为从内部研究 CMOs运算放大器的电离辐射扭伤机理提供了有效的手段。 2测试系统与试验方法 2.1测试系统结构与功能 本测试系统是墓于专门设计的试验样品电路来研制的。该电路为一种CMOS工艺的无缓 冲两级运算放大器，将其内部结构按输入差分管对、恒流偏里电路、放大级和翰出级分为等相 对独立功能单元，各个单元的输人输出节点分别由管脚单独引出，可在外部连接成为一个完整 的运放电路. 侧试系统由DUT板、连接及侧试转换开关组、侧试仪器和计算机组成。如图1所示， DUT侧试板由DUT擂座、参照样品擂座和 选择开关组成，可将参照样品(未辐照样品)内部 DUT侧试板 的各功能单元逐次用DUT中的相应单元来替 换，分别组成特定单元经过辐照而其它单元完好 无损的运放电路，侧试被辐照单元的变化对整个 运放电路待性的影响，达到对运放电路内部各单 元分别辐照的目的。 连接及洲试转换开关组可将侧试板引出的各 KEITHLEY IN IBM-PC 静电计 侧试仪 计算机 单元连接成完整的运放电路.测试其整体参数.同 时还可以将各节点分别连至测试仪器，对各单元 IEEE-488总线 和内部MOSFET特性(包括各节点电压、电流及 单管亚阅曲线等)在辐照过程中的变化分别进行