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半导体材料 半导体材料 参考书目与教材: 《半导体材料》杨树人等 （教材） 《半导体材料》王季陶 刘明登主编 高教出版社 《半导体材料浅释》万群 化学工业出版社 Robert F.Pierret: Semiconductor Device Fundamentals(Part1) Donald A.Neamen: Semiconductor Physics and Devices / / 考核方式 任选课，3个学分，48学时 考核方式：闭卷笔试 课程成绩评分 —考试70%,平时30% （出勤、课上表现） 考试内容 —以教材和上课内容为主 绪论的主要内容 半导体的主要特征 半导体材料的分类 半导体材料的主要应用 半导体材料的发展现状与趋势 纳米科技和纳米材料 一 、半导体的主要特征 一、 半导体的主要特征 1839年，法国科学家贝克雷尔(Becqurel)就发现，光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为“光生伏打效应”，简称“光伏效应”。 二、半导体材料的分类 从功能用途分 光电材料,热电材料,微波材料,敏感材料等 从组成和状态分 无机半导体,有机半导体,元素半导体,化合物半导体 四、半导体材料的地位、历史和发展趋势 (1) 硅(Si) 硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃. 半导体中的大部分器件都是以硅为基础的 增大直拉硅（CZ-Si）单晶的直径仍是今后CZ-Si发展的总趋势。 （4）半导体超晶格、量子阱材料 III-V族超晶格、量子阱材料 GaAlAs/GaAs，GaInAs/GaAs， AlGaInP/GaAs； GaInAs/InP，AlInAs/InP， InGaAsP/InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速、超高频微电子器件和单片集成电路。 硅基应变异质结构材料 GeSi/Si应变层超晶格材料, 因其在新一代移动通信上的重要应用前景， 而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSi MOSFET 的最高截止频率已达200GHz，噪音在10GHz下为0.9dB，其性能可与GaAs器件相媲美。 五、纳米科技和纳米材料 纳米科技是上世纪九十年代以来发展起来的一门综合现代科学（介观物理、量子化学等）和先进工程技术（计算机、微电子和扫瞄隧道显微镜等技术）的前沿交叉学科。 纳米结构是指以纳米尺度物质单元为基础，按一定规律构筑或者营造的一种新体系，包括一维、二维、三维体系。这些物质单元主要包括纳米微粒、稳定的团簇、纳米管、纳米棒、纳米丝以及纳米尺寸的孔洞等。 各种ZnO纳米结构 ZnO的应用 光电方面的应用 压电方面的应用 气敏方面的应用 压敏方面的应用 二氧化钛的应用 涂料化妆品等方面的应用 陶瓷方面的应用 异色效应颜料方面的应用 超亲水效应方面的应用 纳米Ti02在环境方面的应用 在太阳能利用方面的应用 在传感器方面的应用 Any quentions? Thank you ! 半导体材料发展史 52年，H.WELKER发现Ⅲ—Ⅴ族化合物具有半导体性质。这类化合物电子迁移率高、禁带宽度大，能带结构是直接跃迁，呈现负阻效应。但是当年，由于这些化合物中存在挥发元素，制备困难。 多元半导体化合物制备技术的发展： 晶体生长方面，五十年代末，水平布里奇曼法、温度梯度法、磁耦合提拉法生长GaAs、InP单晶。65年，J.B.MULLIN，氧化硼液封直拉法，在压力室中制取GaAs单晶，为工业化生长三、五族化合物单晶打下了基础。 薄膜制备技术方面：63年，H.NELSON，LPE方法生长GaAs外延层，半导体激光器。其后，VPE生长三、五化合物，外延生长技术应用到器件制作中去。 半导体材料发展史 多元、多层异质外延技术出现。 MBE、MOCVD可将外延层厚度控制在原子层数量级范围内，可将两种不同组份的材料交替进行超薄层生长，制备出超晶格材耦和应变复合层材料。 First IC Device (1958) 4. 第四阶段：集成电路阶段 1958 J. Kilby（TI）研制成功第一个集成电路 1959 R. Noyce（Fairchild）第一个利用平面工艺研制成集成电路 基于硅的平面工艺集成电路 6. 1958以后：高技术 IC发展，SSI→MSI→LSI→VLSI →ULSI→半导体微电子学半