FN遂道B因子对MOSFET寿命预测的影响研究.pdf

FN隧道B因子 对MOSFET寿命预测的影响 薛静许铭真 谭长华 北京大学微电子研究所，100871 近年来，薄栅二氧化硅的退化问题一直是许多研究者注意的焦点。在高场FN应力 下，在SiO2体内和界面都产生陷阶电荷，从而影响了FN 电子在SiO2中传输过程。陷 脚 电荷的出现使有效势垒高度发生变化，进一步影响了栅电流。 FN(Fowler-Nordhe呵 电流可表述为1〔): _， ( B、 J=Ah__一exq一— 【 一 一lE-j 其中:A,B是与势垒高度和电子的有效质且相关的常数。E。是氧化层电场。其中: :二*2(m漪q,,al(3hq) (2) 。，为势垒高度，m’有效质量，h为普郎克常数。 实验表明，随着应力时间增加、FN隧道电流的B因子发生显著变化。由于B因子的 变化可能影响到器件的寿命预侧值、所以本文就FN隧道电流中的B因子变化对VOSFEr 寿命的影响做了定量分析。 我们假定: (B、 t- =AeXVI— I (3) 一 一lE- A为常数,E-为氧化层电场。 图一给出幻〔的t一凡的测试结果以及用1/E模型和E模型的模拟结果。可以 明显看到两个模型的预测结果将会有很大的差别。 图二给出了对应于不同B因子的归一化的/BD的图。可以看到，当 B因子减小，寿命的预测值也随之减小。 图三((a)，(b)分别给出B因子与寿命预测值的关系，以及有效势垒高度与寿命预 测值的关系。 | | | | | 505- 参考文献: [1]M.Len2Jinger,andE.H.Snow,J.Appi.phys.,40(1),278(1969) [2)JoeMcPherson,etal.IEDM98 [3]IH-CHIN,etal,IEEETransElecrtonDevicesED-32(2),p413,1985 [4]REZAMOAZZAMI,etal,IEEETransElectronDevicesED-37(7),p1643,1990 一-一 E-model[2] 一~.--11E-model 分 B=169(MV/cm) a 巴 几 ︶ 沪 三 一、卜之谧 5 6 Eox(MVlcm) 图一.tBD-Ee.的测试结果，以及E摸型和I/E模型的模拟结果