取向硅钢中的第二相抑制剂控制MnS与AlN.pptVIP

TSCR流程抑制剂控制案例—CGO 60nm 100nm a. Cu2S的聚集 b. Cu2S的弥散分布 析出物Cu2S的分布情况 TSCR流程抑制剂控制案例—CGO 经过均热、热轧、中间退火和脱碳退火过程，Cu2S尺寸及数量不断增加，最终形成了尺寸约为24nm、体积分数约为0.158%的抑制剂，与传统工艺相比，钢中Cu2S抑制剂更为细小，其对初次晶粒长大的抑制能力更强，高温退火过程二次再结晶更稳定。 TSCR流程抑制剂控制案例—Hi-B 弥散态 聚集态 碎裂态 D = 42nm TSCR流程中AlN的析出规律—Hi-B 钢中辅助抑制剂的析出特征—Hi-B Cu2S Cu2S AlN D = 50nm 钢中夹杂物 粗大Al2O3夹杂 含Al、Si和Ti的大型氧化物复合夹杂 大型氧化物与硫化物复合夹杂 热轧板组织与织构—Hi-B 脱碳层 过渡层 中心区 TD ND RD ND 全铁素体 20～30μm 沿轧向略伸长的较粗大再结晶晶粒和伸长的碳化物 沿轧向伸长粗大的形变晶粒和更长的沿