GaAs+HBT+VBIC模型参数的提取研究.pdf

2005’全国微波毫米波会议论文集 GaAsHBT VBIC 模型参数的提取 for ParameterExtractionthe VBIC ofGaAsHBT Model 葛霁刘新宇 申华军 陈延胡 吴德馨 中国科学院微电子研究所(北京 100029) 功率管的VBIC模型参数。依据InGaP／GaAsHBT功率特性，简化了VBIC拓扑结构，特别 考虑了寄生对提参建模的影响。对器件I—V特性和100MHZ～15．1G频率范围的S参数进行 了测试和建模，结果表明，本提取方法改进了参数提取的效率和精度，对InGaP／GaAs功率 管的小信号特性有较好的表征。 关键词：VBIC，提取参数，测试结构去寄生 为主，结合优化的参数提取过程，优化算法 l引言 可使用最简单的最小二乘法。 异质结双极型晶体管(HBT)，具有优 同时，为了进一步加强模型在较宽频段 越的高频，高速性能和大电流驱动能力，在 的精确性，特别研究了测试过程中引入的寄 微波、毫米波领域有着广泛的应用；另一方 生，设计了特定的测试结构(open，shortpad) 面，精确的器件模型又是其应用于电路设计 ¨H8]和相关的软件实现，并编写了代码。 的基础。但是迄今为止，仍未有统一的大、 小信号模型以及参数的提取方法，这给基于 2模型简化 该类器件的RF，MMICCAD带来了极大的 挑战。 与原VBIC模型相比较，主要进行了以 VBIC(vertical 下几点简化：1．对于InGaP／GaAsHBT晶体 inter-company) bipolar 模型虽然是作为BJT的新工业标准而出现 管，并不存在寄生pnp晶体管。2．对于 的【1]~[2】’但其以精确的静态温度模型，改进InGaP／GaAs HBT晶体管，Early效应并不明 的电容模型，以及对交叠电容，超相位，大 显。 3．准饱和效应对InGaP／GaAsHBT晶 电流情况的考虑，尤其适合应用于功率放大 体管并不明显。 4．考虑到管子的实际应用 的HBT，从而成为RF／MMIC设计人员的 偏置，弱雪崩效应也可忽略。5．VBIC中的 首选模型。 温度模型在电流不是特别大情况下，可以用 2000年，MortenOlavsbraten曾在其论 默认的参数来表征。6．由于已经进行了去 文中[3】提出一种参数的提取流程，紧接着 寄生测试，CBEO，CBCO可以不考虑。 S．vCHEI也PKO等又在简化VBIC的基础上 3参数提取 给出了一种新的提取过程【4J，以后又相继有 一些学者给出了一些提取流程【5J~【6l。以上几 初始化参数值由工艺线给出。此处采取 种参数提取过程和方法由于未考虑拟和曲 一种新的参数提取流程：将参数划分为三 线的相关参数(有的拟和曲线涉及到许多参 类，直接提取(拟和曲线只由一个参数决 数)，对参数的初始化值准确性要求很高， 定)，以直接提取为主(拟和曲线由较少参 而且需要反复提取，效率较低。