GaN纳米管电子结构性质的尺寸效应研究.pdfVIP

材料科学 GaN纳米管电子结构性质的尺寸效应 徐波 中国科学技术大学物理系，合肥市，230026 摘要采用第一性原理的方法研究六方和立方GaN纳米管的结构和电子结构性质随着管壁 厚度的增加各自的变化情况。并运用局域电子态密度对电子结构性质进行细致地分析，给出 原理性的解释． 关键词凝聚态物理学；纳米管；第一性原JE；电子态密度 引‘ 言 到目前为止，人们已经知道单壁碳纳米管的直径和手性对纳米管的电子结构性质影响很大【l2】。对于多 壁碳纳米管，由于相邻两个原子层之间的相互作用是非常弱的范德瓦尔斯力，因而它的电子结构性质主要 取决于内部的单壁碳纳米管【3J，并且它的厚度与其电子结构性质关系不大。然而具有一定厚度的纳米管(轴 向具有周期性结构，而径向上是有限晶体的结构)的电子结构性质和光学性质却在很大程度上受到尺寸大小 (主要是管壁厚度)的影响。近来在观测用外延技术制备的单晶GaN纳米管的发光光谱时发现纳米管的发光 较体材料的发光有轻微的蓝移【4】。通常这是由纳米管的量子尺寸效应或者表面效应所导致的。进一步分析 实验数据，发现观测到的GaN纳米管的发射来自于带边发射，并没有发现与表面原子相关的深能级缺陷态 发射。为了很好地理解这些实验事实，我们有必要研究GaN纳米管的原子化结构和相关的电子结构性质。 另一方面，随着实验技术的提高，人们不但制备了稳定的纤锌矿结构的六方GaN(h—GaN)纳米管【4】， 但是对于GaN纳米管的理论研究却非常少，尤其是立方GaN纳米管，几乎没有相关的理论报道。为此我 们采用第一性原理的方法研究了GaN纳米管的结构及其电子结构性质是如何随着纳米管管壁的增加而变 化的，以及不同结构的纳米管(h．GaN和c-GaN)之间电子结构的区别。 1 GaN纳米管原子化结构 我们曾提出了一种基于GaN体结构构造六方单晶GaN纳米管的方法【6】。首先在纤锌矿GaN体结构中 沿[0001]方向截取一个六方的柱体，然后在这一六方的柱体中同轴的截去一个小直径的六方柱体，剩下的 方向(c．GaN)。采用这种方法，我们分别构造了三个六方的GaN纳米管和三个立方的纳米管。其中三个六 包含两层、三层和四层Ga．N原子层(因为对于仅一层的Ga-N原子层，原子之间不能完全连键)，记为C—l， C．2和C．3。 了双毛基与广义梯度近似(GGA)，并且选取了PBE的交换相关函数博J。 初始的H．1纳米管实际上是一个皱褶型的单壁纳米管，如图1(a)所示，我们的计算表明优化之后，H—l 819 中国科协第四届优秀博士生学术年会论吏集 纳米管转变成了圆形截面的娄似于碳纳米管的单壁纳米管，如图1(b)．这一结构与Wang等人的结果 纳米管结构搬其相删…。对于H．2纳米管．优化导致了层与层之间的一些Ga-N键的断裂，只剩下少数四 配位晌原子连接着里外两个原子层．如图10)、l(d)。只有这些四配位的原子似乎与体缔构的原子相类似． 而其他的原子则只能表现出表面性质．因为每个原子上都有一个悬挂键．报显然．这两个原子层是不能紧 密连接的。当考虑H．3纳米管时，我们发现优化后的结构和初始结构差别不太，基本保持了原来的原子构 型．只是内外表面上的皱裙略微变平了．如图i(e)、I(0所示。这一结粜表明能够维持横截面为六边形形状 的最小的六冉GaN纳米管是H．3纳米管。由于H．3纳米管已经包含了比较多的四配位的原子，园此它能 体现m体材料的信息。 0O鼹@ (a) 曲) (c) 柚) 黪黪强弱 (D 幢) (h) 翻翻囊誊 【i) 0) (k) 《1) 罔I并种CaN蚋米管忧化前后的原子化结柑俯视图 (aX0)．(cJ分月脯H-I．H-2和H．3纳米管优化前的圈，fo)，(d)舯为优化后的图； 乜)，n)．∞分别为C-I