氮氧化硅薄膜的光学特性及光波导中的应用研究.pdf

氮氛化硅薄膜的光学特性及其在光波导中的应用 但亚严 岳瑞峰 王燕 刘理天 (清华大学微电子研究所 ，北京 100094) 摘要 氮氧化硅 (S]O,N,)有许多优良的特性，特别是其折射率可调、击穿电场高，因而在光学器件和深亚徽米 MOs技术方面有广阅的应用前景.本文重点介绍SiON的光学特性及其在光波导中的应用。 关位字 SiO}N，折射率可调 光波导 一 引言 氮氧化硅(SiliconOxynirtide)常常简写为SiO,N，或SiON。它具有折射率可调范围大!，j、击穿 电场高、抗辐射能力强、平带漂移和界面态小121薄膜应力可调零131等优点而获得广泛的应用:最 初，SiON用作存储器的钝化膜4[1，后来用作DRAM电容的介电层4[l，近年又在深亚微米MOS场效 应晶体管的姗介质上显示出较Si02无可比拟的优良特性，另外它在提高集成电路的集成度(减小场 氧面积)151降低SnO气体传感器功率[41、改善刻蚀技术 (作为抗反射薄膜)161等方面都有重要的 应用。当然，它还有一个应用前景广泛为人们所看好的领域:光波导(1,7,8,9,10] 制备SiON薄膜的典型材料是由S此、N20和 或〔)NH3组成的混合物，常常也加入He,Ar 或N2等载气稀释。通常薄膜中含有2-30%的氢，以N-H,Si-H或O-H等复杂形式存在，它对薄 膜的性能有很多不利的影响，例如会减小击穿电场，其谐波吸收会增大波损。高温 卜退火，可大幅 度地改善薄膜的特性，这是因为退火很大程度上可消除氢元素的存在。制备SiON薄膜的常规方法 是PECVD和LPCVD,两种方法互有优缺点，往往配合使用，以对薄膜的性能进行精确控制。 可通过调节薄膜中各元素的化学含量比，达到调节其性能的目的。例如，作为钝化膜，需要具 有致密的结构、优良的绝缘性:若作为EPROM的钝化膜，则希望其光学带隙宽对紫外辐射透明; 若用作电介质层，则希望它高度绝缘并结构均匀一直:要是用作DRAM 电容或抗熔器，它除了必 须高度绝缘外，特别要无缺陷无陷阱，这些都可通过调节工艺参数达到。而作为远紫外辐射刻蚀技 术中的抗反射膜 ，在特定眼光波长(如 193mn)处其反射率也可调节为零! 二.SiON薄.的光学特性 参与制备SiON的各反应物的 气相混合比和工艺参数不同，SiON 中各元素的化学计量就不同， 其中极限形式可以是Si02,a-Si 和Si3N4。图1给出了SiON薄 膜可能存在的一系列形式。一般 1.高度富硅的SiNx 3.SiOx 而言，调节SiON薄膜中Si,O, 2.富硅SiNx 4.SiOxoy N的含量可得到满足设计要求的 图1 上面的三角形描绘了Si,O和N所能组 带隙宽度、绝缘、抗反射和电容 成的所有物质.这些成分不同的薄膜，性质不同， 等特性。图2-5比较了SiON薄 可满足不同的设计要求。 膜各种存在形式的折射率和消光系数。 在图2中非晶Si薄膜是典型的半导体并不透明。随着O含量从无到有的增加，薄膜的绝缘性 和透明性逐渐增强。当增加N以形成Si3从时，随着Si-N数量的增多，带隙高度也在增加，薄膜变 得越来越难以穿透!尽管，Si3N4仍然透明和绝缘，但折射率和消光系数都比Si氏的要大。 图3比较了高度富硅SiNx和富硅SiN、的光学常数。这两种物质代表图1中薄膜1和薄膜2，其 。98 · — ! | 尸 | l 中薄膜1中5诩 比远比薄腆2中的要大得多。薄膜1更接近-asi，因而介电性更差，而且由于它的 f 51含量更高，所以更不透明，k的值也更大。由图可知:l(疮远紫外光区D(UV)内，k的值越大， l l 5诩 的比例越高:(2)在19。刁仪}nm整个光区内，膜1都要比膜2更致密，因为n越大物质的密度也 | 越大。另外，N元素的出现使得这两种膜的导电性比5幻、和5102的都要强。 1 ! 助