GSMBE生长的镓面极性氮化镓材料研究.pdfVIP

GSMBE生长的镓面极性氮化镓材料 王军喜木王晓亮孙殿照刘宏新胡国新李晋闽曾一平林兰英 中国科学院半导体研究所材料中心北京100083信箱jxwang@red．semi．ac．ell 摘要 氮化镓(GaN)材料在蓝、绿光光电子器件和高温、高频大功率微电子器件领域有着 广泛的应用，而材料极性对氮化镓材料及器件有着重要的影响。我们用NH，作氮源， 质量的镓面极性氮化镓单晶外延膜。用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学试剂 腐蚀和原子力显微镜等方法对所生长的氮化镓材料的极性进行了研究。室温霍耳测 量显示氮化镓外延膜的电子迁移率为290cm2／V．sa材料质量属目前国际上用同类方法 生长出的氮化镓外延膜的先进水平。 关键词 氮化镓极性电子迁移率分子束外延 1引言 GaN是一种重要的氮化物材料，由于它有宽的直接带隙(室温禁带宽度为3．39eV)，因 而在短波长光电器件领域如蓝紫光LED、LD及探测器方面具有极为重要而广阔的应用前景。 另外GaN具有优良的热稳定性及化学稳定性，高的热导率、高击穿电压及高的电子饱和速度， 这些特点使得Gab／基材料在制备高温、大功率、高速及恶劣环境条件下工作的电子器件方面 具有巨大的潜力和优越性卜珥。 GaN主要有两种极性，即镓面(Ga)极性和氮面(N)极性。这方面的研究最旱是由Sasaki5 报道的，此后极性的研究成为氮化物研究的热点。研究结果显示极性对单晶材料的表面形貌6、 生长过程中的RHEED图形7、二维电子气的浓度和迁移率以及高电子迁移率晶体管的性能都 有着极为重要的影响。一般来说，具有镓面极性GaN材料是希望获得的材料，因为它对提高 材料和器件的性能都是有益的。 GaN基材料外延的主要技术是金属有机物气相外延(MOVPE)和气源分子束外延 (GSMBE)。为改进GaN基高温大功率电子器件性能，需要尽可能提高Gab／材料的电子迁移 率，降低其背景电子浓度。目前质量最好的GaN外延材料是用MOVPE技术制备的，该技术 制备的GaN材料最高室温电子迁移率为900cm2／V．s8，用MBE技术外延的Gab／室温电子迁移 0 cm2／V．s左右，95年水平仅为11cm2／V．s左右。 率个别达350cm2／V．s，9一般的在200 上获得了高质量的镓面极性Gab／单晶外延材料。使用反射高能电子衍射仪(ImEED)、化学 试剂腐蚀和原予力显微镜等方法确定了材料极性。霍耳测量显示其室温电子迁移率为290 cm2／V．s，材料质量属目前国际上用同类方法生长出的氮化镓外延膜的先进水平。 137 2实验 本实验采用的GSMBE系统是改造过的国产Ⅳ型MBE设备，包括生长室、进样室和分析 室的三室超高真空系统。经过处理的蓝宝石衬底先进入进样室，然后经分析室除气后进入生 长室。材料生长时用分子泵和液氮冷屏维持生长室的真空度。生长GaN外延层所使用的氮源 为高纯度的NH3，流量用质量流量计控制；镓源用固态源，其纯度为7N，其束流强度由源炉 的温度控制。 在GaN生长过程中，高温镓炉喷射出的镓分子束和NH3同时喷射到高温的生长面上，通 过反应生成GaN晶体。生长时，首先在700～800。C对衬底表面氮化约20 rain，将衬底温度降 到500-600。C低温生长约100 A厚的AIN缓冲层，然后升温生长GaN外延层。生长过程中使 用反射高能电子衍射仪实时监测。所有样品均为未有意掺杂。 用化学腐蚀方法对生长后的样品进行了极性鉴别，化学试剂采用了1：l的氢氧化钾水溶 液作为腐蚀剂，在室温下将样品浸润在腐蚀液中大约一个小时，然后取出用去离子水冲洗以 便进行进一步的检测。腐蚀前后的样品表面形貌观测使用了Olympus光学显微镜和Digital IIIa型原子力显微镜(接触模式)。并用VanderPauw法测量T#b延层的 InstrumentNanoscope