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纳米磁性金属的χ值通常是常规金属的20倍。 电子数为奇数的粒子集合体的磁化率服从居里—外斯定律， 量子尺寸效应使磁化率遵从d-3规律。顺----铁 电子数为偶数的系统， χ ? kBT，并遵从d2规律，它们在高场下为包利顺磁性。 铁--顺 (5)饱和磁化强度 微晶饱和磁化强度对粒径不敏感。 表面效应导致表面原子的对称性不同于体内原子，纳米Fe的比饱和磁化强度随粒径的减小而下降(见图)。 纳米金属Fe(8nm)饱和磁化强度比常规αFe低40％。 原因：纳米材料界面原子排列比较混乱、原子密度低，磁交互作用减小。 下图为不同晶粒尺寸的铁酸镍软磁材料的磁化曲线。图中纵坐标为比饱和磁化强度σs。 a、b、c、d分别代表晶粒为8、13、23和54nm的样品：样品的比饱和磁化强度σs随着晶粒尺寸的减小而急剧下降。因此，晶粒越小，比表面积越大，σs减小得越多。因此庞大的表面对磁化是非常不利的。 (6) 抗磁性到顺磁性的转变 由于纳米材料颗粒尺寸很小，这就可能一些抗磁体转变成顺磁体。 例如，金属Sb通常为抗磁性的(χ= -1.3?10-5/g 0)。 但是，Sb的纳米晶的磁化率(χ =2.5?10-4 /g 0)，表现出顺磁性。 这是由于纳米微粒独特的界面效应引起的。 (7) 顺磁到反铁磁的转变 当温度下降到某一特征温度（奈尔温度）时，某些纳米晶顺磁体转变为反铁磁体。 这时磁化率χ随温度降低而减小，且几乎与外加磁场强度无关。 例如，粒径为10nm的FeF2纳米晶在78~66K范围从顺磁到反铁磁体的转变等。单晶只有2K。 与晶界原子近邻配位数、原子间距和近邻原子种类有关。 (8)巨磁电阻效应(Giant Magneto-Resistive，GMR) 由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻或磁阻(Magnetoresistance)效应。磁电阻应用磁场强度为H时的电阻R(H)和零磁场时的电阻R(0)之差ΔR与零磁场的电阻值R(0)之比或电阻率ρ之比来描述： 具有各向异性的磁性金属材料，如FeNi合金，在磁场下电阻会下降，磁电阻变化率约为百分之几。 所谓巨磁电阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。 1986年，德国格林贝格尔利用纳米技术，对“Fe/Cr/Fe三层膜”结构系统进行实验研究。 他们发现：当调节铬(Cr)层厚度为某一数值时，在两铁(Fe)层之间存在反铁磁耦合作用；在一定的磁场和室温条件下，可观察到材料电阻值的变化幅度达4.1％；在后来的实验中，他们再通过降低温度，观察到材料电阻值的变化幅度达10％。 1988年法国巴黎大学费尔教授等设计了一种铁、铬相间的“Fe/Cr多层膜”。在温度为4.2K、2T磁场的条件下，观察到材料电阻值下降达50％，使用微弱的磁场变化就使材料电阻发生急剧变化，比一般的磁电阻效应大一个数级，这种大的磁电阻效应称为巨磁电阻效应。 特别指出的是，巨磁电阻是在纳米材料体系中发现的，反铁磁性的Cr膜与铁磁性的Fe膜构成的多层膜是在GaAs(001)基片上外延生长得到的金属超晶格结构，各层膜的厚度为纳米级的。 格林贝格尔、费尔获2007年诺贝尔物理奖 1992年Berkowtz与xiao等人分别发现纳米Co粒子嵌在Cu膜中的颗粒膜存在巨磁电阻效应。 在Co-Ag，Fe-Ag等颗粒膜中也陆续发现了巨磁电阻现象。 为了避免室温下纳米磁性粒子出现超顺磁性，铁磁粒子的直径最好控制在几纳米到l0nm左右。 Co—Ag，Fe—Ag，Fe—Cu等颗粒膜的巨磁电阻效应与含Fe、Co铁磁粒子体积百分数之间的关系。见图? 可以看出，在一定的体积百分数下巨磁电阻出现极大值。 巨磁电阻呈现极大值的原因可作如下分析： 当Fe、Co颗粒体积百分数较小时，影响巨磁电阻的因素有3个方面： 一是散射中心减少 电导提高 二是颗粒之间间距大于电子平均自由程 电导提高 三是颗粒尺寸下降 电导下降 前两个因素引起巨磁电阻下降，最后一个因素引起巨磁电阻升高，前二者的权重大，总巨磁电阻较低； 颗粒体积百分数较高时，颗粒尺寸变大， 当颗粒尺寸大于电子平均自由程，甚至形成了磁畴，这时大尺寸颗粒成为影响巨磁电阻的主要因素，它导致了巨磁电阻的下降。 因此，在一定的颗粒体积百分数下，巨磁电阻呈现极大值。 巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（Read Head）。这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少，从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高。 1994年，IBM公司研制成巨磁电阻效应的读出磁头，将磁盘记录密度一下子提高了17倍，从而在与光盘竞争中磁盘重新处于领先地位。 巨磁电阻效应在高