涂进春-纳米材料与技术精品教学:5b-f.pptVIP

涂进春-纳米材料与技术精品教学:5b-f.ppt

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近年来,利用该方法已制备出纳米金属粉末(Fe、Cu等)、纳米金属间化合物(TiAl、NiAl、Ni3Al、Al3Ti、FeAl等)、碳化物(SiC、TiC、WC)等各种纳米晶体材料,将这些粉末加压成型可制得纳米块体材料。 这种方法具有设备简单、投资少、适用材料范围广、纳米粉末的产量较高等优点。 存在的问题主要是球磨过程中来自球磨介质(球与球罐)和气氛(O2、N2、H2O)杂质的污染,以及如何在随后的固结过程中避免晶粒粗化。 3. 非晶晶化法 crystallization of amorphous 非晶晶化法制备纳米固相材料是将非晶态材料作为先驱材料,经过适当热处理后使其转变成纳米尺寸的多晶材料,在转变前后,非晶材料的尺寸未发生变化。这种方法被成功的应用于熔体急冷技术制备的非晶态合金带的晶化。 如果一种材料(纯元素或金属间化合物)可制成非晶态样品,那么采用这种方法可以制成纳米固体材料,只要控制好热处理温度和时间两个主要因素即可,工艺简单且成本低。 已经制备出Fe基、Co基、Ni基和Ti基合金。 这种材料密度高,晶界不易污染,晶粒之间可能存在一定的取向关系。 在非晶晶化法制备的纳米晶体材料中,由于晶粒和晶界是在热处理过程中形成的,所以晶界清洁、无任何污染,样品中不含微空隙,而且晶粒和晶界未受到较大外部压力的影响。 但是,采用该方法制备纳米样品的先决条件是获得非晶态材料。此外,大多数非晶态条带是通过快速凝固方法制备的,尽管能生产出大量的样品,但很难获得大尺寸的块体材料。 卢柯等用单辊急冷法晶Ni80P20熔体制成非晶合金条带,在不同温度退火后得到纳米晶条带。小于610K,Ni3P粒径为7.8nm,温度升高,晶粒长大。 4. 严重塑性变形法severe plastic deformation 通过严重塑性变形使材料产生位错增殖、运动、湮灭、重排等一系列过程,晶粒不断细化达到纳米量级。 可以采用压力扭转和等通道角挤压两种方式实现。如图 1)压力扭转方式:将置于支撑砧槽 中的原始样品(块或粉)施加数个GPa的压力,并相对转动上下两砧使之剪切变形。制备的纳米晶体样品一般为圆片状,直径介于10~20mm之间,厚度为1.2~0.5mm。 2) 等通道角挤压:施加一定的压力使原始棒材(直径20 mm,长度介于70~100mm之间)在具有一定角度Ф的管道中通过而发生剪切变形,将变形后的样品旋转一定角度(0°、90°、180°)在重复压入管道,使变形在不同滑移面、滑移方向上发生。经数次变形后便可形成具有高角晶界的块体纳米晶体材料。 这种方法的优点: 可以产生出尺寸较大的样品(如板、棒等),而且样品中不含有孔隙类缺陷,晶界洁净。但样品中含有较大的残余应力,且晶粒较大,一般为100~200 nm。目前这种方法可以制备纯金属(Cu、Fe、Ni)、Al基、Mg基合金和Ni3Al金属间化合物等。 5. 快速凝固法 rapid solidification 快速凝固是通过传导传热或对流传热等方式加快熔体的冷却速度,使熔体快速凝固的过程。在快速凝固过程中,控制晶核的形核率和晶粒的长大速率,可以获得极细的晶粒和大量的界面。 较常用的快速凝固方法是单辊熔体激冷法(一般称为快淬法)。该方法成功的应用于制备非晶态条带。 优点:容易获得内界面清洁、不含微孔洞的材料,通过控制冷速可获得不同结构及晶粒尺寸的样品;但难以获得块状样品。 6. 电解沉积法 electrodeposition 又称电化学沉积,是在溶液中通以电流后在阴极表面沉积大量的晶粒尺寸在纳米量级的纯金属、合金以及化合物。 优点:1)可沉积大量的晶粒尺寸在纳米量级的纯金属、合金以及化合物。 2)投资少,生产效率高,不受试样尺寸和形状的限制,可以制成薄膜、涂层或块体材料、 3)疏松孔洞少,密度较高,且生产过程中无需压制,内应力较小,适当的添加剂可控制样品中的少量杂质(如O、C等)和织构。主要获得等轴结构的纳米晶体材料,也可获得层状或其它形状结构的材料。 纳米晶体材料的电沉积过程是非平衡过程,所得到的非平衡材料具有很小的晶粒尺寸和较大的晶界体积百分数,晶界主要是三叉晶界;制备的材料表现出较大的骨溶度范围。 如在室温下,P在Ni中的固溶度非常小,而电解态Ni-P可形成固溶体,含P超过10%,同样,Co-W、Ni-Mo等合金体系也观察到很宽的固溶度范围。 HRTEM观察电解沉积纳米晶体的结构同传统多晶材料的晶界相似。 7. 磁控溅射法 magnetron sputting 溅射是物理气相沉积薄膜的重要方法之一。 主要原理如图: 在真空室(10-3~10-7Pa)内充入一定压力的工作气体,提高阴、阳两极间的电压使气体发生辉光放电,放电产生的正离子在电场作用下以一定的动能轰击阴极靶面而将靶材料原子溅射出来,溅射出

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