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电子技术基础导学案:晶体三极管及基本放大电路
晶体三极管及基本放大电路
第1课时 课题:2.1 晶体三极管(第一、二课时)
【学习目标】:
通过对各种不同的实际情况的分析、判断、探索,培养学生的计算应用能力。
了解晶体三极管的结构;
掌握晶体三极管的电流分配关系。
【重点难点】:
晶体三极管电流分配关系
【导学过程】:
预习新知:
(一)、知识链接
1、N型半导体是在本征半导体中摻入 形成的, 多, 少。
2、P型半导体是在本征半导体中摻入 形成的, 多, 少。
(二)、自主学习
1、结构与分类
(1).外形
填写下列三极管的封装形式
( ) ( ) ( ) ( )
(2)、结构
二、课堂导学
(一)、引入
三极管的核心是两个互相联系的PN结,按两个PN结的组合方式不同,可分为( )型和( )型两类。
(二)、自主学习汇报
三极管内部有发射区、基区和集电区,引出电极分别为发射极e、基极b、集电极c。发射区与基区之间的PN结称为发射结,集电区与基区之间的PN结称为集电结
(3).分类
三极管的种类很多,通常按以下方法进行分类:
按半导体制造材料可分为:( )管和( )管。硅管受温度影响较小、工作稳定,因此在自动控制设备中常用硅管。
按三极管内部基本结构可分为:( )型和( )(型两类。目前我国制造的硅管多为NPN型(也有少量PNP型),锗管多为PNP型。
按工作频率可分为:高频管和低频管。工作频率高于3MHz为( )管,工作频率在3MHz以下为( )管。
按功率可分为:( )管和( )管。耗散功率小于1W为小功率管,耗散功率大于1W为大功率管。
按用途可分为:( )三极管和( )三极管等。
(三)、教师点拨
2、三极管的电流放大作用
(1).三极管放大条件
要使三极管能够正常放大信号,发射结应加正向电压,集电结应加反向电压。
NPN管偏置电路 PNP管偏置电路
电源VCC通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置,RC阻值小于Rb阻值,所以集电结处于反向偏置。
(2).三极管的电流放大作用
三极管各电极电流关系的测量电路
三极管电流分配关系:IE=IC+IB
三极管电流放大倍数:β = Δ IC /ΔIB
当ΔIB有一微小变化,就能引起ΔIC较大的变化,这种现象称为三极管的电流放大作用。
在实际放大电路中,除了共发射极联接方式外,还有共集电极和共基极联接方式。
共发射极接法 共基极接法 共集电极接法
(四)、课堂练习
1、三极管具有两个PN结: 结, 结;还有三个区, , , 。
2、放大电路的基本性能是具有 能力
3、三极管输出特性曲线可分为 、 和 三个区域。
(五)课堂小结
1、三极管结构
2、电流分配与放大
【课后作业】:
【总结反思】:
课题:2.1 晶体三极管(第3、4课时)
【学习目标】:
1、掌握共射极输入和输出特性,理解其含义;
2、了解三极管主要参数的含义,了解器件手册的查阅方法
3、学会三极管的测试方法
【重点难点】:
三极管主要参数及测试方法
【导学过程】:
一、预习新知:
(一)、知识链接
1、三极管具有两个PN结: 结, 结;还有三个区, , , 。
2、三极管放大条件 。
3、电流分配关系 。
(二)、自主学习
1、三极管的特性曲线
(1).输人特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线,它是在输出电压VCE为定值时,iB与vBE对应关系的曲线。
当输入电压vBE较小时,基极电流iB很小,通常近似为零。
当vBE大于三极管的死区电压vth后,iC开始上升。
三极管正常导通时,硅管VBE约为0.7V,锗管约为0.3V,此时的VBE值称为三极管工作时的发射结正向压降。
(2).输出特性曲线 输出特性曲线是反映三极管输出回路电压与电流关系的曲线,是指基极电流IB为某一定值时,集电极电流IC与集电极电压VCE对应关系的曲线。 截止区 习惯把IB=0曲线以下的区域称为截止区,三极管处于截止状态,相当于三极管内部各极开路。在截止区,三极管发射结反偏或零偏,集电结
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