南京大学《电子技术基础（模拟部分）》4 场效应管放大电路.pptxVIP

1 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 2 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 分类： 3 4.1 结型场效应管  结构  工作原理  输出特性  转移特性  主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 4.1.3 JFET的优缺点 4 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 5 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 6 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 4.1.1 JFET的结构和工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。   VGS继续减小，沟道继续变窄。 7 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 4.1.1 JFET的结构和工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS  ID  G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS  夹断区延长  沟道电阻  ID基本不变  ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 8 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。 9 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 10 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0，VDS|VP|时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 11 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 12 4.1.3 JFET的优缺点 1. 栅源极间的电阻虽然可达107Ω以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 13 4.3 金属－氧化物－半导体场效应管  结构  工作原理 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.3.3 各种FET的特性比较及 使用注意事项  特性曲线  参数 14 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构 P型基底 两个N+区 SiO2绝缘层 金属铝 代表符号 箭头表示由P（衬底）指向N（沟道） 15 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vGS=0时 对应截止区 16 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 VT称为开启电压 vGS0时 感应出电子 这种vGS=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才形成感生沟道的FET称为增强型FET。 17 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 vGS较小时，导电沟道相当于电阻将d-s连接起来， vGS越大此电阻越小。 18 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 当vDS不太大时，导电沟道在两个N+区间是均匀的。 当vDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 19 4.3.1 N沟道增强