不同基底温度溅射生长GeSi1002×1薄膜的分子动力学研讨.pdf

堕宴堑竺：至旦董丛婆壅亟堑生堡垒!!墅!!!!!!x，薄堕的分子边力学研究 311 不同基底温度溅射生长Ge／Si(1002XI薄膜的分子动力学研究+ 陈立桥，周少白，杨 宇 (云南大学材料科学与工程系，云南昆明650091) 摘要： 通过构建不同温度Si(100)。。基底下入射 生长锗薄膜模型，采用分孑动力学模拟的方法，运用双 生长，重点研究了快慢生长速率条件下界面特性。 体分布函数与近邻配住数及原子轨迹法对生长过程及 ChristopherRoland等“”通过模拟不同能量原子入 结果进行分析讨论。模拟发现，不同温度下重构衬底 射，发现提高人射粒子的能量可使外延温度降低到 所受的破坏程度不同，而重构村底的结构影响了锗的 异质外延生长的优劣。同时发现，生长第二层锗过程 对村底影响最大。是实现第一层锗外延生长的关键阶 薄膜，研究基底温度在外延生长中的作用，对于高温 段。 (750K以上)时得到完好的晶态外延Ge薄膜，他们认 关键词：硅；锗；分子动力学；薄膜生长 为是由于衬底温度高，有利于团簇原子裂解扩散而形 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 成的。 文章编号2006)增刊一0311_04 本文展开的工作基于模拟溅射生长考虑，困而采 用单个Ge原子入射而非团簇，同时由于通常所用硅 1引言 基底都发生了重构”“。所以我们构建了在重构si 硅锗纳米薄膜材料由于其优越的光电性能而在信 (】00)面A射生长锗模型。在此模型基础上，运用双体 息技术领域得到广泛的应用，然而要充分利用其性能， 分布函数与原子轨迹法分析讨沦不同基底温度逐层人 首先必须生长出优异的、德合要求的薄膜结构，尤其伴 射生长错薄膜过程中，生长不同层的锗时不同温度基 随着当今光电子器件微型化、薄膜化发展趋势，优化薄 底所受影响及其与锗的异质外延生长关系。 膜生长与制备工艺显得更加重要。目前实验上制备硅 2模拟模型与方法 锗薄膜的方法很多，对不同方法下的薄膜制备工艺的 研究文献也频见报道[1]，但薄膜生长过程是原子与分 计算中Si基底由12层，每层72个共863个硅原 子层面上的10“2S量级时间内的动力学过程，因而目子组成。原子的初始坐标由0K温度下理想的单晶硅 前实验上只能通过大量的实验得到经验性的参数一很 体材料晶格位置确定，然后使表面层相邻两列原子沿 难从微观机理上给予清楚的解释。 [1io]方向预先靠近一定距离，之后再在300K下弛豫 理论计算分子动力学方法是对微观结构和微观过 3ps以形成Si(100)。表面。整个模拟晶胞自下而上 程进行研究的一个重要方法，它通过采用经验、半经验 分为3部分。第一部分是底部2层，在整个动力学过 势函数决定原子与分子周相互作用力，对体系中各个 程中保持si原子固定；第2部分是中间5层，其愿子 微粒积分求解牛顿运动方程，从面求出各个状态的宏 用速度标定法““，使温度始终与设定的温度保持一 观物性。其不仅实现了在原子层面研究材料的微观状 致；第3部分是表面5层，让表面原子完全受势场作 态，而且由于可对原子与分子的每一步运动情况进行 用。在平行于表面的X、y方向上采用二维周期性边 跟踪记录，从而可模拟系统随时问演化的微观过程，因 界条件，使粒子在水平面上成为赝无限。 而对于研究薄膜材料生长的影响因索及揭示生长过程 入射锗原子能量为leV／atom，共入射216个原 的微观机理具有重大意义，目前已被广泛用于对试验