电力半导体模块及其工艺技术研究.pdf

中国电工技术学会电力电子学会第七次全国学术会议 电力半导体模块及其工艺技术 西安电力电子技术研究所 吴济钧 种种，迫使人们采用混合封装形式来制造适用于各种 1前言 应用场合的集成电力电子模块，而采用三维集成技 术，即采用多层结构，新型材料，热控制技术以及谐振 模块化是电力半导体器近年来发展的主要方向 开关技术来制造集成电力电子摸块，将促进模块技术 之一 自七十年代Semikmn,Niirnberg,D.成功地把模 的更进一步发展，为下一世纪电力电子技术的发展开 块基本原理引人电力电子技术g域以来，由于模块与 辟了新途径。 同容f的分立器件相比，具有体积小、重f轻、结构紧 我国电力半导体模块的发展起步较晚，80年代 凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安 中期才开始，此后，虽引进了一些工艺制造技术和设 装、结构重复性好、装置的机械设计可简化等伏点，因 计技术以及一些生产线，但由于半导体芯片以及其它 此，一开始就受到世界各国电力半导体器件公司的高 配套部件和材料等存在一些质A问题，又加工艺技术 度重视，投人大t人力和财力，开发各种电联接形式 的落后，使初期的晶闸管和整流二极管模块的品种 的电力半导体模块，使模块技术得到了蓬勃的发展， 少，外观差，可靠性低和价格高，因此，无法与外国进 起初是中小功率(电压(looov，电流(LOOA)的普通 口货相竟争，模块技术发展缓慢。90年代中期，由于 晶闸管和整流二极管模块，之后，随着新型器件和晶 各方面的重视，我国电力半导体模块的制造工艺技术 闸管派生器件以及制造模块的相应辅助材料的研制 得到很快提高，各种配套部件和材料的质tI得到很大 开发成功，继而出现了双向晶闸管，可关断晶闸管，光 改进，使模块的产f、品种和质A获得飞快的发展和 控晶闸管，逆导晶闸管，GTJR，功率MOSFET,IGBT 提高，并开发出一些国际上没有的，把同步，移相、高 和MCf等摸块，并进行了小批I的生产。特别是 频调制、脉冲分配，脉冲功放等电路组成的移相触发 MOs结构电力半导体器件的出现，亦即电压驱动的 系统与晶闸昔共同封装在同一绝缘外壳内的集成移 电力半导体器件的出现，使驱动功率大大降低，驱动 相调控晶闸管整流桥模块和集成移相调控晶闸管交 趋于简化，进而发展到把器件芯片与控制电路，驱动 流开关模块，如图1所示，并解决了同步元件的微型 电路，过压、过流、过热和欠压保护电路以及自诊断电 化，多路高速大电流集成电路和高压隔离技术等难 路组合，并封装在同一绝缘外壳内的智能化模块 题，提高了信号幅度和抗干扰能力，使驱动电路体积 (1PM)，并开发出适用于各种不同用户应用要求的用 大大缩小，有利于集成化，晶闸管调控整流桥模块和 户使用功率模块(ASPM)，以适应计算机，通讯，空间 交流开关模块的研制开发成功，大大方便用户的使 技术以及各种大容ti的工业电力变流装置和电动机 用，简化了装置的接线，与此同时，国内已开发研制成 驱动的要求。事实证明，采用传统设计方法和一般工 功，并小批I生产各种接线方式的IGBT模块和高频 艺技术以及常规方法制造的元器件所制成的电力电 快恢复二极管模块，以满足日益发展的国民经济需 子装置，在质量，可靠性，价格以及设计周期上处于较 要，使我国模块制造技术向前迈进了一大步。 落后和无竞争地位，要开发新一代电力电子装置，必 须大力采用集成度高，智能化和标准化的，并适用于 2模块的结构设计及相关工艺技术 任何应用范围的集成电力电子模块(IPEM),以降低 装置的生产成本，缩短产品进人市场的周期，提高产 电力半导体模块的制作是集电子学、电学、热 品的可靠性。但是，在技术上要把逻辑电平为几伏、 学、机械学和材料学等于一体的综合性科学技术， 几毫安的集成电路与几百安、几千伏的电力半导体器 因此，设计模块的结构时，应充份孜虑下列各项: 件集成在同一芯片上是非常困难，特别是采用传统结 ①应从电学和热学的角度出发，在结构情况许可条 构方法制造的储能元件— 电感器和电容器，由于它 件下，尽量缩短管芯和散热之间的距离及管芯和主 们的体积庞大，更不适用于