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陛压斜技大学
论文题目：
电化学沉积法制备Bi2S3光学薄膜研究
申请学位学科：工学
所学学科专业：材料学
培养单位：材料科学与工程学院
硕士生：王艳
导师：黄剑锋教授
201
0年5月
STUDYoNBISTHUMSULFIDETHIN
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ThesisSubmittedto
Shaanxi ofScienceand
University Technology
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Thesis
Supervisor：ProfessorHuangJianfeng
May,2010
重要
制备
的研
利用
微镜
红外
光谱仪对所制备的薄膜的结构、形貌、光学性能进行了表征。研究
了沉积溶液的pH值、沉积液浓度配比、沉积时间、沉积电压、沉积
温度等工艺因素对制备薄膜的影响；采用微波水热法电沉积法制备
薄膜进行了后处理；采用电沉积法制备了Sn掺杂Bi2S3薄膜。
加入柠檬酸三钠作络合剂的情况下，可以得到沿(240)晶面生长均
积溶液pH值的升高，Bi2S3薄膜表面衍射峰逐渐增强，结晶程度变
好，晶粒细化，红外透过比提高。电沉积制备Bi2S3薄膜的过程中需
要确定合适的各组分浓度配比，随着沉积溶液配比中Na2S203浓度
的提高，Bi2S3薄膜的结晶性能提高，发光性能增强；在浓度配比为：
蓝绿发光性能。随着沉积时间的延长，Bi2S3薄膜结晶性能先增强后
减弱，薄膜表面晶粒尺寸增大，合适的沉积时间是20min。随着沉积
溶液温度的增加，Bi2S3薄膜的各晶面衍射峰逐渐增强，结晶程度逐
渐提高，合适的沉积温度是40℃。在电沉积法中，其生长模式是基
于电场力对离子的作用而诱导产生的垂直于基板方向的层状生长。
采用微波水热辅助电沉积法可以高效的提高Bi2S3薄膜的质量。
在微波水热130℃反应1
Omin时制备了具有纳米棒结构的Bi2S3薄膜。
随着微波水热温度的提高，所制备Bi2S3薄膜的结晶性能先增强后降
低，合适的温度是130℃。随着微波水热时间的提高，薄膜的结晶
性能先提高后降低，合适的微波水热处理时间是30min。所制得的薄
膜具有较强的吸收紫外光的能力；
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