石墨电极制备多孔硅的蓝光发射研究.PDF

中国科技论文在线 第2l卷第2期 烟台大学学报 (自然科学与工程版) Vo1．2lNo．2 2008年 4月 JournalofYantaiUniversity(NaturalScienceandEngineeringEdition) Apr．2008 文章编号 ：1004—8820(2008)02-0091-03 石墨电极制备多孔硅的蓝光发射研究 吴现成 ，闰大为 ，徐大印 ，甄聪棉 (1．烟台大学 光 电信息科学技术学院，山东 烟台 264005；2．河北师范大学 物理系，河北 石家庄 050000) 摘 要：采用 自制的双 电解槽、高纯石墨电极，在一定浓度的氢氟酸 乙醇溶液中阳极氧化 腐蚀硅片制备一定孔隙度的多孔硅．利用荧光分析仪(激发波长250nm)分析了样品的光 学特性，在470nm处观测到明显的蓝光发射峰．改变阳极腐蚀 电流密度和腐蚀时间，研究 腐蚀参数对光学特性的影响，结果表明：改变阳极电流密度和腐蚀时间不能引起470nm 处峰位的蓝移或者红移；随着电流密度 的增强，波长470nm峰值和半宽积分值先增大后 减小；延长腐蚀时间，峰值和半宽积分值不断变大．同时，对实验现象进行了初步的理论解 释 ． 关键词 ：多孔硅 ；石墨电极 ；光致发光 中图分类号：0471．1 文献标识码 ：A 自1990年，Canham发现介孔尺寸多孔硅室 蚀电流密度和腐蚀时间，考察了腐蚀参数对光学 温下强烈的光致发光现象以来，多孔硅材料的制 特性的影响． 备和应用引起了众多科研者的关注，引发了多孔 硅和多孔材料的研究热潮 ¨J．多孔硅是具有特殊 1 实 验 纳米量子海绵结构，纳米级量子点无序分布材料， 实验采用 自制的双电解池结构，电极为高纯 具有巨大的内表面积．在这种特殊的微结构之 中， 石墨，装置如图1、双电解槽结构能够有效控制 电 量子限制效应十分显著，并明显拓宽单晶硅 的禁 流密度的均匀分布 ，并避免阳极接触污染，是 目前 带宽度，使之能够受激发射可见光光子．这意味着 较为重要的制备装置，日本佳能公司采用三腔式 硅基材料的光电集成能够成为可能．另外微 电子 电解槽，通过调节板距进一步优化电流密度分布． 器件主要以半导体硅为主要支柱材料，硅基发光 石墨电极 + 一石墨 电极 材料更有兼容性好 的优点．目前，多孔硅材料在 LED、纳米传感器、激光器、高敏探测器 和太阳 能电池方面的应用已经崭露头角． 高功、高强 、高稳、高纯的半导体蓝光发射源 的研究在光电集成、通信、全色显示、蓝光激光器 件等领域具有重要意义．因此 ，硅基蓝光发射材料 图 1 多孔硅 的制备装置 的开发研究始终是研究热点和难点．本文利用高 Fig．1 Thedeviceofporoussiliconpreparation 纯石墨电极制备了碳粒子包裹的蓝光发射多孔 溶液体积比V(HF)：V(C2HOH)取为 1：1，电流 硅，并利用荧光分析仪分析了其光学特性．改变腐 收稿 日期：2007-08—10 基金项目：河北省教育厅基金资助项 目(2006123)． 作者简介：吴现成(1962一)，男，河南襄成人，教授，博士后，主要从事电子材料和薄膜等方面的研究 转载 中国科技论文在线