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课程目标;第一章---------1;第一章---------2;第一章---------3;第一章---------4;1）存储结构为哈佛结构，将程序存储器和数据存储器分开；;第一章---------6;第一章---------7;第一章---------8;第一章---------9;第一章-------10;第一章-------11;第二章 1----1;第二章 1 -----2;第二章 1 -----3;第二章 1 -----4;第二章 1 -----5;第二章 1 -----6;第二章 1 -----7;第二章 1 -----8; 第二节 并行I/O接口; 当由P0口输入数据时，由于外部输入信号既加在缓冲输入端上，又加在驱动电路的漏极上。如果这时T2是导通的，则引脚上的电位始终被钳位在0电平上，输人数据不可能正确地读人。因此，在输入数据时，应先把P0口置1，使两个输出FET均关断，使引脚“浮置”，成为高阻状态，这样才能正确地插人数据。这就是所谓的准双向口。;P3.0(RXD)：串行输入端。 P3.1(TXD)：串行输出端。 P3.2(INTO)：外部中断0输入端，低电平有效。 P3.3(INT1)：外部中断1输入端，低电平有效。 P3.4(T0)：定时／计数器0外部事件计数输入端。 P3.5(T1)：定时／计数器1外部事件计数输入端。