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扫描隧道谱及其应用

第二章:扫描隧道谱 第二章:扫描隧道谱 及其应用 及其应用 吴克辉 中科院物理所 扫描隧道谱的典型应用: 1. 半导体(元素、化合物)表面电子态 2. 半导体中的掺杂原子的分布和电离 3. 量子限域结构(2D\1D\0D) 中的分立电子态 4. 表面电子驻波(Electron standing wave) 5. 电荷密度波(CDW)/表面相变 6. Kondo效应 7. 库仑阻塞 8. 单分子隧道谱/单分子操纵 9. 超导体的电子态 10. 表面磁结构/单自旋/ 自旋密度波 11. 复杂氧化物表面 12. 超薄绝缘体/分子吸附体系 13. 二维电子体系(graphene\拓扑绝缘体) 。。。 1 2.1 扫描隧道谱的基本原理和技术 • 一般原理 • 不同种类 • 实施技术要点 §2-1 STS原理 “满态”像和“空态”像 Empty state Filled state GaAs(110) Ga 3+ As 3- ?是否可以认为满态像反应了电子占据态的空间分 布,而空态像反应了电子空态的空间分布? 2 偏压依赖像(Bias-dependent STM imaging ) GaN(0001)表面的两种主要再构 Simultaneously acquired dual bias images empty states +1.0 V filled state −1.0 V of the 6 ×4 reconstruction. Sample biases are +2.0 and −2.0 V for (a) and (b), +1.5 and −1.5 V for (c) and (d), +1.0 and −1.0 V Dual bias images of the 5 ×5 and 6 ×4 reconstructions. The average height for (e) and (f), and +0.5 and −0.5 V for (g) difference between the two reconstructions is 0.3 Å for empty states (+1.0 V and (h), respectively. Similarly, gray-scale sample voltage) shown in (a) and 0.4 Å for filled states (−1.0 V sample voltage)

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