推荐第01章 地磁场常用半导 体器件.pptVIP

2. 转移特性曲线 低频跨导 1.4.2 绝缘栅场效应三极管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： P型衬底 高参杂浓度的N型区 耗尽层 二氧化硅 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 （2）工作原理 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 定义：开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需 的栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作 用下，漏极电流ID越大。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） （a）uds=0时， id=0