电力电子半导体器件3(SCR).ppt

第三章 晶闸管 §3.1 普通晶闸管 §3.2 特殊晶闸管 §3.3 触发电路——门极控制电路 §3.4 相控整流电路和逆变电路 §3.５　SCR串并联及保护 三、逆导晶闸管 前面的SCR为逆阻型器件，反向高阻特性，正向可控导通。 逆导晶闸管是将SCR与一个续流二极管反并联集成在同一硅片上， 是一种反向导通的晶闸管。 （一）结构： 隔离区（防止换向失败） （二）特性： 正向晶闸管，反向二极管。 用于各类逆变器，斩波器 不需要阻断反向电压 （三）特点： ①正向转折电压高，正向压降小，关断时间短。 ②电流容量大。（基区宽度薄） ③开关速度快。 ④高温特性好。（结温在1500C以上） ⑤减小了引线电感，缩小装置体积，配线简单，换相电路小，轻型化。 ⑥电流定额受限制。 KN-200/70（比值1—3） 国产逆导晶闸管：KN系列 四、光控晶闸管：利用一定波长的光照信号控制的开关器件 （一）结构： （二）特性： 小功率管只有A、K两极 大功率管带光缆，装发光器件 和激光器。 （三）参数： ①触发光功率：几毫瓦到十几毫瓦。 ②光谱响应范围：0.55—1.0um之间；峰值波长约为0.85um。 国产光控晶闸管：GK系列 一、触发电路的基本要求 1．触发信号可为直流、交流、脉冲信号，且为正脉冲信号。 采用脉冲形式，可以减少门极损耗。 ２．触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于门 极的触发电压和电流，为可靠触发应留有足够的功率裕量。 但不能超过门极的极限参数（VGm10V；IGm10A) ３．触发脉冲移相范围应满足变流装置的要求。 移相范围与主电路形式、负载性质、变流装置用途有关。 如：三相半波整流电路，电阻性负载，移相范围1500 三相桥式全控整流电路，电阻负载，移相范围1200 工作于整流、逆变状态，电感负载，移相范围0—1800 一般移相范围小于1800，还应限制αmin 和βmin 。 ４．触发脉冲宽度与陡度 ①触发脉冲宽度应保证SCR阳极电流在脉冲消失前达到擎住电流。 ——最小宽度。脉冲宽度与负载性质及主电路形式有关 如：单相整流，电阻性负载，宽度大于10us 电感性负载，宽度大于100us 三相全控桥式电路，单脉冲触发时，脉宽600—1200 双脉冲触发时，脉宽100左右。 ②前沿越陡，有利于开通，对并联、串联SCR同时触发越有利。 要求：前沿陡度大于10V/us，800mA/us。 5．触发脉冲与主电路电源电压必须同步。电源电压相位与触发 脉冲位置关系正确。 二、触发电路形式 移相控制：通过改变控制脉冲产生时间，改变导通角。 垂直控制：靠移相信号和控制信号叠加，借改变控制信号的 大小来改变导通角。 数字式：数字逻辑电路，微处理器。 模拟式：阻容移相桥、单结晶体管触发电路、锯齿波移相电 路、正弦波移相电路。 分立元件触发电路 集成电路触发电路 专用集成触发电路 微机触发电路 三、单结晶体管触发电路 1．单结晶体管：双基极二极管，负阻特性。 RB1和RB2为基区硅片电阻，约4—10kΩ ,发射极E对基极B1和B2都构成一个PN结，具有二极管的单向导电性。 ①外加电压VBB后，若VE=0，则： η =RB1/(RB1+RB2)；分压比，0.3—0.9 此时，VD反偏电压ηVBB，漏电流-IE ②当VE增大，VD反向偏压减小，当VE=ηVBB时，VD零偏， IE=0 ③VE再增大， VEηVBB，但VE –ηVBBVD时， IE变正，但数 值很小， VE –ηVBBVD时，EB1导通，VE下降—负阻特性。 ④ IE再增大，到IQ时，RB1不再减小， VE随IE增大而增大—饱和 谷点电压VQ；谷点电流IQ 峰点电压VP 峰点电流IP 2．触发电路 要求：产生可控的移相脉冲；移相脉冲与主电源同步；α角恒定 同步变压器 α角恒定 为使脉冲正确产生，电路中R3参数选择合适，要求： R3 电路振荡频率（忽略放电时间） R3向C的充电时间，决定了第一个脉冲的位置， 既α角位置。 改变R3的阻值，可以改变α角。 电路特点：结构简单 分散性大，脉冲较窄，移相范围小。 四、集成触发电路 移相线性度好，性能稳定可靠，体积小，温度漂移小。 小规模集成电路组成和中规模专