第1章半导体器件2012.ppt

电子技术基础 主讲人：任祖华 绪论 1. 电子技术的应用 2.电子技术的发展←→电子器件的改进与创新 电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件? 早期应用于电视机?收音机扩音机等电子产品中. 体积大?功耗大?结构脆弱 晶体管包括二极管,三极管,晶闸管和场效应管等 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管?按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)? 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件? 集成电路（integrated circuit） 采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容等元件及布线互连一起，做在一片硅片上,然后封装起来,留出引脚,然后根据型号及功能的不同,内部电路也不一样。 由于集成电路的出现,电子产品朝着微型化和微功耗化的方向发展? 二. 电子技术的分类 电子技术：研究电信号的产生、传送、接收和处理。 模拟电子技术 数字电子技术 课程主要内容 介绍常用半导体器件 放大器基本单元电路、放大器中的负反馈、集成运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法。 介绍逻辑代数基本知识，数字电路的基本分析方法，各种常用数字逻辑电路的逻辑功能、外部特性及典型应用。 1、导体：金属等 2、绝缘体：塑料，陶瓷，橡胶等 3、半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗、砷化镓等 导电能力由物质本身结构决定 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某种特定的元素（杂质），成为杂质半导体，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 分类： N型半导体：以自由电子导电为主的杂质半导体。 P型半导体：以空穴导电为主的杂质半导体。 综上所述： 　　 当?PN?结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，?PN?结处于?导通状态；当?PN?结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，?PN?结处于截止状态。 　　 可见，?PN?结具有单向导电性。 思考： 二极管单向导电性，能对电流放大吗？ 三极管如何实现放大？ 【例】测得三只晶体管的直流电位如图(a)、(b)、(c)所示，试判断它们的工作状态。 小结 半导体的特性：半导体的基本概念，P型半导体，N型半导体 半导体二极管：PN结，二极管的伏安特性、主要参数、稳压管的特性 半导体三极管：三极管的放大作用，三极管的特性曲线、三种工作区 习题 1-4；1-7；1-14 当正向电压超过死区电压后， 二极管导通,电流与电压关系 近似指数关系。 硅二极管为0.7V左右 锗二极管为0.2V左右 死区电压 正向特性 0.5 1.0 1.5 10 20 30 U/V I/mA O 二极管正向特性曲线 硅二极管为0.5V左右 锗二极管为0.1V左右 死区电压： 导通压降： 正向特性 反偏时，反向电流值很小， 反向电阻很大， 反向电压超过UBR则被击穿。 IS 反向特性 UBR 结论：二极管具有单向导电性， 正向导通，反向截止。 反向饱和电流 反向击穿电压 反向特性 2 4 -I/μA I/mA U/V 20 10 O 4、二极管方程 若U0,|U| UT则 I ≈ - IS 式中： IS为反向饱和电流 UT 是温度电压当量， 常温下UT近似为26mV。 若U UT 则 结论：　　 二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 　　从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，所以二极管属于非线性器件。 [例] 已知Ui = Umsin ωt ，画出uo和uD的波形 VD R + - + - ui uo + - uD io Um ωt uo o ωt uD o ui ＞0 时二极管导通， uo = ui uD = 0 ui ＜0 时二极管截止， uD = ui uo = 0 -Um io Um ωt ui o [例] 二极管可用作开关 E VD E S E VD E S 正向偏置，相当于开关闭合。 反向偏置，相当于开关断开。 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 　　工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。