ECH8602M-TL-H;中文规格书,Datasheet资料精选.pdfVIP

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2018-01-22 发布于贵州
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ECH8602M-TL-H;中文规格书,Datasheet资料精选.pdf

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ECH8602M-TL-H;中文规格书,Datasheet资料精选

ECH8602M Ordering number : ENA1562A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET ECH8602M General-Purpose Switching Device Applications Features • 2.5V drive • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance • Protection diode in Speciﬁ cations Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS ±12 V Drain Current (DC) ID 6 A Drain Current (Pulse) I PW 10 s, duty cycle 1% 60 A DP