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2018-01-22 发布于贵州
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IPB015N04N_rev2 0精选

Type IPP015N04N G IPB015N04N G ® OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V DS 40 V • Fast switching MOSFET for SMPS R DS(on),max 1.5 mΩ • Optimized technology for DC/DC converters I D 120 A • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 100% Avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant Type IPB015N04N G IPP015N04N G Package PG-TO263-3 PG-TO220-3 Marking 015N04N 015N04N Maximum ratings, at Tj =25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Value Unit Continuous drain current I D V GS=10 V, T C=25 °C 120 A V GS=10 V, T C=100 °C 120 Pulsed drain current2) I D,pulse T C=25 °C 400 Avalanche current, single pulse3) I AS T C=25 °C 100 Avalanche energy, single