(4-5)半导杂质和缺陷.pptVIP

半导体物理 Semiconductor Physics 学时:32 (周4学时) 主讲教师:关玉琴(理学院物理系) 第一章 半导体中公有化电子的能量状态 第二章 半导体中的杂质和缺陷状态 第三章 半导体中的平衡载流子 第四章 半导体中的电迁移现象 第五章 半导体中的非平衡载流子 第六章 半导体表面和界面 第七章 半导体的强电场效应 杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们的共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。在制造半导体器件的过程中，通过采用杂质补偿的方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。 高度补偿：若施主杂质浓度与受主杂质浓度相差不大或二者相等，则不能提供电子或空穴，这种情况称为杂质的高等补偿。这种材料容易被误认为高纯度半导体，实际上含杂质很多，性能很差，一般不能用来制造半导体器件。 1） ： 受主能级低于施主能级，剩余杂 质 。 2） ：施主能级低于受主能级，剩余杂质 。 3） 高度补偿：有效施主浓度 有效受主浓度 §2.1.5 杂质的补偿作用 §2.1.6 深能级杂质 深能级杂质：非Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge的禁带中产生的施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。杂质电离能大，能够产生多次电离。 基本特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级; 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低; 深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 §2.2 化合物半导体中的杂质能级 四种情况； 取代砷; 取代镓; 填隙; 反位。 §2.2.1 杂质在砷化镓中的存在形式 Ga Ga Ga Ga Ga Ga Ga Ga Ga Ga Ga VGa Ga Ga As As As As VAs As As As As As As As As As As Ga Ga As 四族元素硅在砷化镓中会产生双性行为，即硅的浓度较低时主要起施主杂质作用，当硅的浓度较高时，一部分硅原子将起到受主杂质作用。 这种双性行为可作如下解释： 因为在硅杂质浓度较高时，硅原子不仅取代镓原子起着受主杂质的作用，而且硅也取代了一 部分V族砷原子而起着受主杂质的作用，因而对于取代Ⅲ族原子镓的硅施主杂质起到补偿作用，从而降低了有效施主杂质的浓度，电子浓度趋于饱和。 SHARED COMMITMENT. SHARED RESOURCES. ONE SOLUTION. -*- * 信息学院电子系微电子专业必修课程 -*- * 信息学院电子系微电子专业必修课程 * * ☆ 课程内容 ☆ 半导体材料举例: ① Ge, ② Si, ③ GaAs, ④ InP, ⑤ GaN, ⑥ SiC, ⑦ TeCdHg 。 什么是半导体？ 半导体的基本特性: (1) 导电性处于金属和绝缘体之间 (见下图)。 (2) 电阻率与温度的关系很大, 而且电阻率一般具有负温度系数。 (3) 电阻率与掺杂 (杂质种类和浓度) 有很大关系。 (4) 存在有两种 (正、负电荷) 载流子。 (5) 存在有比金属要高的温差电动势率和Hall系数。 (6) 具有较高的光电导等光敏性。 (7) 半导体与金属接触, 或者半导体p-n结, 具有非线性电流-电压关系,并且可以有整流特性。 (8) 具有明显的表面电场效应。 —— 各种物质的电阻率范围 —— 10-6 10-4 10-2 100 102 104 106 108 1010 1012 1014 1016 1018 (Ω.cm) Si Ge GaAs Ni-Cr Ag 石英玻璃 玻璃 硬橡胶 金属 半导体 绝缘体 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 价电子是我们要研究的对象 硅晶体的空间排列 本征半导体 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。 常用的本征半导体 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 价带 导带