原子层沈积技术在未来超薄均匀薄膜.pdfVIP

Bi-Weekly News 2004.04.30 目 錄 產業要聞與分析1 2004年為OUM技術是否突破關鍵技術的一年1 SoC發展面臨瓶頸，造就SiP發展方向被看好2 利用轉印方式於塑膠底板形成CPU複雜電路3 奈米轉印微影技術具有生產成本低與大量製造的潛力3 原子層沈積技術在未來超薄均勻薄膜的沈積上，將是不可或缺的角色4 工研院奈米電子研發視窗6 活動訊息6 聯絡窗口6 產業要聞與分析 2004年為OUM技術是否突破關鍵技術的一年 意法與其他業者協同開發相變化記憶體 （國際新聞中心林慶煇／綜合外電） 2004/04/05 電子時報 據網站Silicon Strategies報導，意法微電子（STMicroelectronics ）與美國一家小公司 Ovonyx共同開發相變化記憶體（Phase Change Memory ）已有突破，新技術將依0.18微米製 程需求設計，量產的可能性極高。 相變化記憶體是非揮發性（Non Volatile ）記憶