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2018-01-19 发布于浙江
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44--2 2 场效应晶体管场效应晶体管主要内容主要内容：： •• MOSFETMOSFET的基本工作原理的基本工作原理 •• 结型场效应晶体管结型场效应晶体管 •••• 金属金属金属金属半导体场效应晶体管半导体场效应晶体管半导体场效应晶体管半导体场效应晶体管 22 场效应晶体管场效应晶体管,FET, field effect transistor,FET, field effect transistor 利用垂直于导电沟道的输入电压的电场作用利用垂直于导电沟道的输入电压的电场作用，，控制导电沟控制导电沟道输出电流的一种半导体器件道输出电流的一种半导体器件. . FETFET与双极晶体管与双极晶体管（（势效应晶体管势效应晶体管PETPET的典型代表的典型代表））的比较的比较：： 33 FETFET与与BJTBJT的区别的区别：： 1. FET 1. FET 为电压控制器件为电压控制器件; BJT ; BJT 为电流控制器件为电流控制器件。。 2. FET2. FET输入阻抗高输入阻抗高，，实际上不需要输入电流实际上不需要输入电流，，在模拟开在模拟开关电路关电路，，高输入阻抗放大器和微波放大器中具有广泛的高输入阻抗放大器和微波放大器中具有广泛的应用应用。。 3. FET3. FET为单极器件为单极器件，，没有少子存储效应没有少子存储效应，，适于高频和高速适于高频和高速工作工作。。 4. 4. 在大电流时在大电流时，，FETFET具有负的温度系数具有负的温度系数，，随着温度的增随着温度的增加加FETFET的电流减小的电流减小，，使整个器件温度分布更加均匀使整个器件温度分布更加均匀。。 5. 5. 制备工艺相对比较简单制备工艺相对比较简单，，适合大规模集成电路适合大规模集成电路。。 44 FETFET JFETJFET IGFETIGFET (p(p--nn结栅结栅)) MESFETMESFET 绝缘栅绝缘栅)) 肖特基栅肖特基栅)) MOSFET/MOSFET/ HFETHFET MISFETMISFET 宽带隙宽带隙））氧化物氧化物氧化物氧化物//// 电介质电介质电介质电介质）））） MODFETMODFET 场效应晶体管家族谱系场效应晶体管家族谱系掺杂宽带隙掺杂宽带隙）） HIGFETHIGFET 不掺杂宽带隙不掺杂宽带隙）） 55 MOSFETMO