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第二章 半导体物理和器件物理基础 主要内容 2.1 半导体及其基本特性 2.2 半导体中的载流子 2.3 pn结 2.4 双极晶体管 2.5 MOS场效应晶体管 2.1 半导体及其基本特性 固体材料：超导体: 大于106(cm)-1 导体: 106~104(cm)-1 半导体: 104~10-10(cm)-1 绝缘体: 小于10-10(cm)-1 什么是半导体？ 从导电特性和机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 2.1.1 金属—半导体—绝缘体 1.半导体的主要特点： （1）在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加； （2）半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱； （3）在半导体中可以实现非均匀掺杂； （4）光的辐射、高能电子等的注入可以影响半导体的电导率。 2.常见的半导体材料 常见半导体有： 元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体，如：GaAs、InP、ZnS 金刚石结构 金刚石型结构的结晶学原胞的形成 可以看作是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线相互位移了四分之一的空间对角线长度套构而成。 相同原子构成的复式晶格。 每个原子周围都有四个最近邻的原子。 这四个原子分别处在正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有。 具有饱和性和方向性 金刚石结构的特点： 本征半导体：没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。 特点： 绝对温度为零时，纯净的半导体的价带被价电子填满，导带是空的。 2.1.2 半导体的掺杂 1.电子和空穴 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子。 有效质量的意义： 意义在于mn*概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 空穴 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位。 空穴： 空穴与电子成对出现，与电子电荷量相等，符号相反＋q； 空穴的平均自由时间τp和共有化速度即为价带顶部附近空态处电子的平均自由时间和共有化速度； 空穴的有效质量是一个正的常数mp*，它与价带顶部附近空穴处电子的有效质量mn*大小相等、符号相反； 空穴的浓度就是价带顶部附近空的量子态的浓度。 本征半导体的导电机构 对本征半导体来说，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电。 这就是本征半导体的导电机构。 也是金属和半导体的最大差异：即金属中只有电子作为载流子（荷载电流的粒子），而半导体中有电子和空穴两种载流子。 2.n型半导体和p型半导体 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。 施主杂质 施主能级－Ⅴ族元素杂质 Ⅴ族杂质在硅锗中能够释放电子而产生导电电子，形成正电中心。 杂质电离: 电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程。 杂质电离能△ED：使这个多余的电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量。 施主杂质（n型杂质）： Ⅴ族元素在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。 施主电离：释放电子的过程叫做施主电离。 施主杂质电离的过程： 在纯净的半导体中掺入施主杂质，杂质电离以后，导带中的导电电子增多，增强了半导体的导电能力。 通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。 受主杂质 受主能级－Ⅲ族元素杂质 Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，称为受主杂质或p型杂质。 空穴挣脱受主杂质束缚的过程成为受主电离。 使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量，称为受主杂质的电离能，用△EA表示。 受主杂质的电离过程： 在纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。 通常把主要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。 硅、锗中的Ⅲ、Ⅴ族杂质的电离能都很小，所以受主能级很接近于价带顶，施主能级很接近于导带底。 通常将这些杂质能级称为浅能级，将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质。 2.1.3 半导体的电导率和电阻率