第3章-集成电路工艺原理PPT.ppt

曝光使感光材料(PAC)中分子裂解，被裂解的分子在显影液中很易溶解 ，从而与未曝光部分形成强烈反差。 正胶机制 表明，不同荷质比（q / M）的离子穿越磁分析器时，具有不同的运动半径； 加速管(Acceleration tube) Beam in Voltage Beam Out 25 keV I+ 300 kV 325 keV 25 keV I++ 300 kV ? Ion运动速度： 105ms-1 25+300?2= 625KeV 用高价离子注入可以增加注入能量，使注入深度增加；但是由于高价离子产生较少，其束流较小 离子在静电场作用下加速到所需的能量。 靶室和后台处理系统 (Target Assembly) 离子束离开加速管后进入控制区，先由静电聚焦透镜使其聚焦。再进行x-y两个方向扫描，然后进入偏转系统，束流被偏转注到靶上。 聚焦和扫描系统 (deflection and scanning ) 包括测量电荷的法拉第杯 (Faraday’s cup)，全自动装片和卸片机构，以及控制电流和总电量 的微机。 设质量M，荷电zq (z 是离子荷电数，q 是电子电荷量)和能量E的离子束，通过扫描和光圈限定面积A，定义剂量D与积分电荷量Q(库仑)的关系： 离子束的剂量测量 (7-4) (7-4) Dose = = # ions cm 2 I ·t Area ·zq + Ions - Voltage Wafer Secondary Electrons I Q Current Meter Integrator Faraday cup Example: 100 μA beam of As swept over 10 cm x 10 cm(100 mm wafer) for 100 sec -19 2 100 cm ×1.6 × 10 coul/charge 100 μA x 100 sec Dose = = 6.2 x 10 /cm 2 14 若增加离子注入剂量，可以采用长时间注入和高束流。 剂量测量 注入离子的平均密度≈剂量/深度（DOSE/DEPTH） 在上面的例子中，如果所有的离子在1 μm深度范围内 典型的剂量范围在： 1011 /cm2 - 1015 /cm2 (FOR DOPING) TO 1018 /cm2 (FOR LAYERS) 典型的注入离子的平均密度范围在： 1013 /cm3 - 1021 /cm3 (FOR DOPING) TO 1022 /cm3 (FOR LAYERS) DENSITY = 6.2x1014/cm2÷1μm = 6.2x1018/cm3 离子注入过程演示 典型离子注入参数 离子：P, As, Sb, B, In, O 剂量：1011cm-2-1016cm-2 能量：5KeV – 400KeV 可重复性和均匀性: ±1% 温度：室温 流量：1012-1014 cm-2s-1 第六章 光刻原理和技术 第六章 光刻原理和技术－Lithography §6.1 引 言 §6.2 光刻原理 §6.3 光致抗蚀剂 §6.4 光刻过程及其原理 §6.5 先进的曝光技术 §6.6 光刻中的常见问题 §6.1 引言 一 光刻：一种复印图象和化学腐蚀相结合的综合性技术； §6.1 引言 在硅片上涂一层光刻胶，经过曝光在某些区域感光，经显影后留下胶膜的图形，再把这层胶膜的图形作为掩膜，进一步对其下的SiO2进行腐蚀，或者进行离子注入等，把胶膜上的图形转换到硅衬底的薄膜上去。 光刻示意图 1958年前后光刻技术在半导体器件制造中首次得到成功应用，研制成平面晶体管成为平面工艺的重要组成部分，推动了IC的发明和飞速发展； 1959年IC发明以来，IC不断小型化，其核心问题是不断缩小元器件尺寸，这主要归功于光刻技术的进步；目前，已开始采用0.13微米或更细线宽的加工，大大提高了集成度； 高分辨率 高灵敏度 低缺陷 精密的套刻对准 大尺寸硅片上的加工 二 集成电路对光刻的基本要求 器件结构的横向控制几乎全部由光刻来实现； 平面晶体管制造工艺中的四次光刻 光刻是IC制造业中最为关键的一道工艺。 每三年尺寸减小0.7X. 硅片制造工艺中，光刻占所有成本的35% ??所在的地方代表了roadmap发展的最大的不确定性 §6.2 光刻原理 Photo Resist Coating Mask DUV