第4章-场效应管放大电路PPT.ppt

第四章 例4.4.1 电路参数如图4.4.1b所示，Rg1=2MΩ，Rg2=47kΩ， Rdd＝30kΩ， R=2kΩ，VDD=18V，FET的Vp=一1V，IDSS＝0.5mA，试确定Q点。 解：根据式(4.1.2)和式(4.4.2)有 　对于JFET来说，IDSS也是管子所能输出的最大电流。 (3)最大漏源电压V(BR)DS V(BR)DS是指发生雪崩击穿、iD开始急剧上升时的vDS值。由于加到PN结上的反向偏压与vGS 有关，因此vGS 愈负， V(BR)DS越小。 (4)最大栅源电压V(BR)GS 　V(BR)GS 是指输入PN结反向电流开始急剧增加时的vGS值。 (5)直流输入电阻RGS 在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGS。 (6)低频互导(跨导)gm 在vDS等于常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变 量之比称为互导(也称跨导)，即 　互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 　互导gm是表征FET放大能力的一个重要参数，单位为mS或μS。 　gm 一般在十分之几至几mS的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。 　值得注意的是，互导随管子的工作点不同而变，它是JFET小信号建模的重要参数之一。 如果手头没有FET的特性曲线，则可利用式(4.1.2)和式(4.1.3)近 似估算gm值，即 　(7)输出电阻rd 　输出电阻rd说明了vDS对iD的影响，是输出特性某一点上切线斜率的倒数。在饱和区(即线性放大区)， iD 随vDS改变很小，因此rd的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间。 　(8)最大耗散功率PDM JFET的耗散功率等于vDS和iD的乘积，即PDM ＝ vDSiD ，这些耗散在管子中的功率将变为热能，使管子的温度升高。为了限制它的温度不要升得太高，就要限制它的耗散功率不能超过最大数值PDM 。显然， PDM 受管子最高工作温度的限制。 　除了以上参数外，JFET还有噪声系数、高频参数、极间电容等其他参数。 　JFET的噪声系数很小，可达1.5dB以下。表4.1.1列出了几种典型的N沟道JFET的主要参数。 4.2　砷化镓金属-半导体场效应管(自学) 4.3　金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) 4.3.1　N沟道增强型MOSFET 1.　结构 图4.3.1(a)所示，为N沟道增强型MOSFET的剖面示意图。(b)、(c)为电路符号。 2.　工作原理(如图4.3.2所示) a.　vGS=0时，无导电沟道(如图4.3.2a)。 b.　vGSVT时，在绝缘层下方将感应出N型导电沟道(如图4.3.2b) 。 VT：开启电压---在漏源电压作用下，开始导电时的栅源电压。 c.　当绝缘层下方感应出N型导电沟道后，在漏源之间加一正向电压，当vDS较小时，iD随着vDS的增大而迅速增大(如图4.3.2c) 。 ［转39］ d.　当vDS较大时，近漏端导电沟道将出现夹断现象，iD趋于饱和。 3.　特性曲线，如图4.3.3所示。 4.　参数(自学) 5.　特点：当vGS＝0时，没有导电沟道，只有当vGS 0且vGS ≥VT(开启电压)时，才有导电沟道出现，而且随着vGS 的增大，导电沟道变宽。 ［转41］ 4.3.2　N沟道耗尽型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET与N沟道增强型MOSFET的区别在于在二氧化硅层中掺有大量的正离子，即使在vGS＝0时，源漏之间旧存在着导电沟道。如图4.3.4所示。 4.3.3　各种FET的特性比较及使用注意事项(自学) ［转43］ 4.4　FET放大电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 1．直流偏置电路 FET与BJT放大电路比较 （1）相同点：都要建立合适的Q点。 （2）不同点：FET是电压控制器件，BJT是流控器件。因此它需要有合适的栅极电压。 通常FET放大电路的偏置形式有两种。现以N沟道耗尽型JFET为例说明如下： (1)自偏压电路 如图4.4.1a所示，和BJT的射极偏置电路相似，通常在源极接入源极电阻R，就可组成自偏压电路。 ［转46］ ［转61］ 考虑到耗尽型FET即使在vGS＝0时，也有漏源电流流过R，而栅极是经电阻Rg接地的，所以在静态时栅源之间将有负栅压vGS ＝－IDR。图中电容C对R起旁路作用，称为源极旁路电容。 增强型FET只有栅源电压先达到某个开启电压VT时才有漏极电流ID，因此这类管子不能用于图4.4.1a所示自偏压电路。 (2)分压器式自偏压电路 虽然自偏压电路比较简单，但当静态工作点决定后，VGS和ID就确定了，因而R选择的范围很小。分压器式自偏压电路是在图4.4.1a的基础上加接分压电阻后组成的，如图4.4.1b所