第三讲太阳电池原理及主要电池介绍PPT.ppt

降低光学损失的方法 电池表面的上接触面积尽可能的小(尽管这可能会提高串联电阻） 光照面使用减反射膜 利用表面刻蚀减少反射 增加电池厚度提高光吸收（尽管由于载流子复合吸收的光不一定贡献电流） 表面刻蚀与陷光结构增加光在电池中的光路 * 介电薄层 特殊厚度（破坏干涉） 减反膜降低光学损失 * 根据前面的公式，计算得到最低反射率的减反膜的厚度和折射系数，由于折射系数是波长的函数，因此零反射仅仅发生在固定的单一的波长 对于太阳电池，折射系数和厚度选择波长为0.6μm时反射率最低，因为这个波长最靠近太阳光谱的峰值 * 仅仅因为氮化硅减反膜厚度不同 * 表面刻蚀（Surface texturing)降低光学损失 任何粗糙的表面都可以提高光反弹到表面的机会而降低反射 * 单晶：通过刻蚀晶面。 如单晶硅晶体结构刻蚀后形成金字塔结构 表面刻蚀的方法 * Scanning electron microscope photograph of a textured silicon surface * Scanning electron microscope photograph of a textured multicrystalline silicon surface * 多晶： 光刻、机械雕刻（如利用激光器） * 陷光结构（light trapping）降低光学损失 器件厚度的优化不能仅仅考虑光吸收。如果吸收的光不在pn结的扩散长度之内，那么产生的光生载流子会因为复合而损失掉。 对于吸收能力相同的电池，更薄的电池的电压将会更高。 因此，典型的优化的电池具有陷光结构，此时光路长度将会是没有陷光结构的电池的几倍 光路长度是指一个未被吸收的光子在它逃离器件之前在电池内走的距离 。光路长度常常用器件厚度表示，例如一个没有陷光结构的电池可能有一个器件厚度的光路长度，而一个具有陷光结构的电池可能有50个器件厚度的光路长度，这暗示着光将在电池内部来回好多次。 * 无陷光结构 有陷光结构 * 陷光效果的取得：当入射光照射在一个有角度的表面时，入射光传播的角度会发生变化 绒面结构不仅可以降低反射，而且可以使得光重复倾斜地在电池内传输，从而增加光路长度 折射光进入半导体材料的的角度根据斯涅耳定律（Snells Law）计算（折射定律） θ1 and θ2 are the angles for the light incident on the interface relative to the normal plane of the interface within the mediums with refractive indices n1 and n2 respectively. * 背反射膜Lambertian Rear Reflectors 背反射是为了将到达电池背表面即将要逃离出电池的光再反射到电池内部，增加吸收 * （2）减少复合 复合损失不仅影响电流收集（短路电流）而且影响正向偏压注入电流（开路电压） 复合经常是按照它在电池中发生的区域分类。如在表面的复合称为表面复合；电池内部的复合称为体复合，体复合是电池的主要的复合；在耗尽区的复合被称为耗尽区复合。 汇流线 汇流线电阻 发射极电阻 基区电阻 栅线 指状栅线电阻 * 复合引起的电流损失 为了使的p-n结能够收集所有的光生载流子，表面和体复合一定要最小，在硅太阳电池里，需要满足两个条件： 1.载流子一定要产生在距离p-n结一个扩散长度之内，这样的话，载流子才能在它被复合调之前扩散到结区 2.在局部高复合的地方（如未被钝化的表面或多晶材料的晶界处等），载流子一定要在更加靠近结区产生。 * 在硅电池的前表面和背面由于高的复合，量子效率可以量化复合对光生电流的影响。 * 复合引起的电压损失 高的复合降低开路电压，复合由在结末端的少数载流子数量控制，这些少子越快远离结区就越快复合,因此，开路电压由下面的参数影响： 结末端的少子数量，越多越好; 材料内的扩散长度；低的扩散长度意味着少子由于复合将很快从结末端消失，要使复合最小化，取得高的电压，需要高的扩散长度。扩散长度与材料类型、制备工艺过程和掺杂有关，高的掺杂降低扩散长度。掺杂不能太高，也不能太低（同时影响电流和电压）； 在一个扩散长度范围内的局域复合源，越少越好。 * 掺杂浓度对扩散长度和开路电压的影响 * 表面复合 表面复合对短路电流和开路电压都有很大影响。表面复合越小越好。 利用钝化技术减少表面缺陷可以有效降低表面复合。（电子工业常用的有二氧化硅层钝化层） 商业化电池，一般采用氮化硅为钝化层（silicon nitride）或氧化硅。 * 由于钝化层通常是绝缘的，因此在电池上任何有欧姆接触的地方（引出电流的地方）不能采用钝化层 一