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第十一章-半导体存储器PPT
半导体
集成电路;第11章 半导体存储器;内容提要;1.存储器分类;存储容量：存储单元的总数。;3D Memory 结构;存储器的构成： 1.存储阵列 2.地址译码器（行和列地址译码器） 3.读写电路;二、只读存储器ROM(Read Only Memory);2.MOS OR ROM;3.MOS NOR ROM;MOS NOR ROM Layout 1;MOS NOR ROM Layout 2;4.MOS NAND ROM;MOS NAND ROM Layout1;NAND ROM Layout2;普通OR、NOR、NAND结构缺点;5.预充式NOR ROM;6.地址译码器;Precharge devices;NAND译码器;两级译码方式;(2).列译码器 ;BL;x;x;ROM的编程与分类;Floating gate;浮栅晶体管的编程过程;A “Programmable-Threshold” Transistor;特点：
1.只能“系统外”擦除，擦除时间长；
2.位密度高，价格低。;2.EEPROM (电可擦除可编程只读存储器);EEPROM的编程过程;EEPROM的擦除过程;B2读出错误！！;EEPROM Cell;WL;3.Flash EEPROM;Cross-sections of NVM cells;Basic Operations in a NOR Flash Memory―Write;Basic Operations in a NOR Flash Memory―Read;Basic Operations in a NOR Flash Memory―Erase;Characteristics of State-of-the-art NVM;四、读写存储器 (RAM);;;WL;CMOS SRAM Analysis (Read);CMOS SRAM Analysis (Write) ;6T-SRAM — Layout ;Resistance-load SRAM Cell;SRAM Characteristics;(2)差分灵敏放大器（用于SRAM）;2. DRAM ;3T-DRAM — Layout; Write:通过字线和位线CS被充电或放电.;1-T DRAM Cell;（3）DRAM中的基于锁存器的灵敏电路;Open bitline architecture with dummy cells（位线断开结构）;作业： P219 10.3 10.7
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