超长碳化硅纳米线的化学修饰本科论文PPT.ppt

指导教师:赫荣安老师;纳米材料的改性是新一代纳米功能材料研究的热点之一。 碳化硅具有良好的化学稳定性、良好的结构性能、独特的光电性能，是一种优良的非氧化物陶瓷材料。 超长SiC纳米线 —半导体、一维纳米材料，纳米尺寸 —稳定的化学性质并不利于改性 本文欲通过改性，使SiC纳米线具有气体传感和催化功能。;研究方案;论文内容框架;第一部分:碳化硅纳米线的制备及表征;第二章：湿度响应研究;置于测试腔中，通入空气，电阻急剧下降，抽成真空，重复。曲线图下：;相对湿度(RH)30、15、7、3.5时，响应时间分别为200、190、180、110、40s，恢复时间为200、160、110、40s，灵敏度计算：A:RH=30时，灵敏度3.82%；B:RH=15，灵敏度为：2.88%；C：RH=7.5时，灵敏度2.25%；D：当相对湿度RH=3.5时，1.29%，灵敏度水蒸气增加而增加。相对湿度为横坐标，灵敏度为纵坐标得图。;a未经氧化TEM图，表面不均匀，没分层，同一种物质，b-d600℃下氧化5min的TEM图，外层出现氧化层，在750℃和900℃下发现，氧化速率随温度升高而升高。;氧化层厚度测量，氧化层厚度增长速率为0.13,0.15和0.18nm/min，增长很慢，良好的抗氧化性。750℃下氧化30min氧化层厚度0.25nm，进一步证明优良抗氧化性，氧化层厚度在3-4nm之间或以下的氧化层传导性能优良。;;750℃下氧化30min湿N2响应曲线，良好的响应。灵敏度6.67%，良好的响应，比在750℃下氧化5min，15min以及900℃氧化产物响应值高，证明在1023K氧化30min适宜产物氧化的时间，具有潜在优良性能。;机理，SiO2与水结合，氢键影响，SiO2上O上电子向H转移，电荷效应，n型半导体SiC上Si原子带负电，电阻增加，不通水蒸汽时，化合物随N2流动分离，良好响应。表面覆盖水分子越多，作用越强，朗缪尔等温单分子层吸附理论，吸附面积越大，相互作用力越大。灵敏度公式。Sensitivity为灵敏度,为达到极大值的电阻与基础电阻的差值；R0为基础电阻。;第三章：研究碳化硅纳米线表面负载Pt纳米颗粒影响因素;第三章：研究碳化硅纳米线表面负载Pt纳米颗粒影响因素;a Pt颗粒团聚, b: Pt颗粒粒径为200~300 nm c Pt颗粒分布稀疏，d: Pt颗粒粒径约为100~150 nm;H2PtCl6用量3mL，200℃下Pt平均???径约300nm，降至160℃，Pt粒径190nm，至120℃后，Pt粒径170nm，温度影响Pt4+还原速率和Pt生长状态。室温下，Pt4+不能被还原，120℃时，Pt4+还原负载于表面，反应速率与沉积速率匹配，形成的Pt密度较低，无团聚；升温导致Pt团聚，Pt4+的还原速率较高，不足以使Pt继续长大（与120℃基本相同），形成团聚Pt；200℃时，Pt大量被还原出来，较高温度Pt可以充分生长，导致相对密度较高且直径明显增大的Pt。;3.3 分散剂对SiC纳米线表面Pt颗粒形貌的影响;Pt纳米颗粒在1~5nm呈正态分布，平均粒径为2.85nm。TEM图和粒径分析说明较低Pt用量，PVP对Pt颗粒产生有效包裹，阻止Pt继续长大，PVP的包裹使得Pt随PVP粘附在SiC表面。;大学本科的学习生活即将结束。在此，我要感谢所有曾经教导过我的老师和关心过我的同学，他们在我成长过程中给予了我很大的帮助。本文能够顺利完成，要特别感谢我的导师赫荣安老师，感谢各位系的老师的关心和帮助。 最后向所有关心和帮助过我的人表示真心的感谢。