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干刻工艺介绍 Array-DRY 2015/7/20 干蚀刻原理 1 2 干蚀刻模式 3 干蚀刻工艺参数 4 干蚀刻反应方式 干蚀刻评价项目 6 镀膜(PVD、CVD) 上光阻(Coater) 光罩 曝光(Exposure) 去光阻液 (Stripper) 去光阻 蚀刻 (Dry、Wet) 酸 气体 镀 下 一 层 膜 显影(Developer) 显影液 清洗 非金属层 GI ES PAS1/PAS2 SiO2 SiNx O2 He Ar + CF4 Cl2 BCl3 SiF4 气体， 易于抽走 干蚀刻：将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化学性蚀刻和离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式； 干蚀刻原理 Plasma 基板 光阻 薄膜 光阻 光阻 去掉不想要的薄膜 留下想要的 ①化学反应-等向性刻蚀 ?物理反应-异向性刻蚀 SiF4 Plasma Plasma F* SiF4 F* 干蚀刻反应方式 干蚀刻模式 plasma F* F* F* plasma CF2+ F* plasma CF2+ F* plasma CF2+ F* RIE mode ECCP mode PE mode ICP mode Plasma Etching Reactive Ion