物质的能带.pptVIP

§2.2 物质的能带计算 1. 几个基本概念 2. 能带的一般规律 3. 能带中电子的排布 4. 满带、导带和禁带 5. 导体(conductor)的能带结构 6. 绝缘体(insulator)的能带结构 7. 半导体的能级特点与导电机制 8. 分子模型 例如：两个氢原子靠近结合成分子时，1S能级分裂为两条。 当N个原子靠近形成晶体时，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的一个能级，就分裂成N条靠得很近的能级。使原来处于相同能级上的电子，不再有相同的能量，而处于N个很接近的新能级上。 2. 能带的一般规律  1）外层电子共有化程度显著，能带较宽(?E较大) ；内层电子相应的能带很窄。 2）点阵间距越小，能带越宽，?E越大。 3）两能带有可能重叠。 4、满带、导带和禁带 1. 满带：能带中各能级都被电子填满。 满带中的电子不能起导电作用 晶体加外电场时，电子只能在带内不同能级间交换，不能改变电子在能带中的总体分布。 满带中的电子由原占据的能级向带内任一能级转移时，必有电子沿相反方向转换，因此，不会产生定向电流，不能起导电作用。 2.导带：被电子部分填充的能带。 在外电场作用下，电子可向带内未被填充的高能级转移，但无相反的电子转换，因而可形成电流。 5. 导体(conductor)的能带结构 能带结构 6. 绝缘体(insulator)的能带结构 从能级图上来看，是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。 一般的热激发、光激发或外加电场不太强时，满带中的电子很难能越过禁带而被激发到空带上去。 当外电场非常强时，电子有可能越过禁带跃迁到上面的空带中去形成电流，这时绝缘体就被击穿而变成导体了。 7. 半导体的能级特点与导电机制 1.本征半导体 (1)能带结构 和绝缘体相似，只是半导体的禁带宽度很小(ΔEg= 0.1～2eV) 加热、光照、加电场都能把电子从满带激发到空带中去，同时在满带中形成“空穴”(hole)。 2.杂质半导体(impurity semiconductor) 如在纯净的半导体中适当掺入杂质， 可提高半导体的导电能力； 能改变半导体的导电机制。 按导电机制，杂质半导体可分为n型(电子导电)和p型(空穴导电)两种。 分子模型 计算Si、Ge、GaAs等共价键半导体能带结构的方法有很多，最简单的为分子模型，这种方法的思想可用图2—9所示，即只在成对的sp3杂化轨道之间存在哈密顿量的矩阵元V2（键合能），这一模型还多用于多种半导体材料的晶格常数、凝聚能、弹性常数等相关参数的计算。 * 1） 能带(energy band) 量子力学计算表明，固体中若有N个 原子，由于各原子间的相互作用，对应于 原来孤立原子的每一个能级,变成了N条靠 得很近的能级,称为能带。 固体中的电子能级 有什么特点？ 一 几个基本概念： 1S r0 r 0 E ● ● H H r H原子结 合成分子 N条 能级 能带 能隙，禁带 ?E 能带宽度： ?E～eV 能带中相邻能级的能差：～10-22eV ? 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 3 . 能带中电子的排布 固体中的一个电子只能处在某个能带中的 某一能级上。 排布原则： １. 服从泡里不相容原理（费米子） ２. 服从能量最小原理 设孤立原子的一个能级 Enl ，它最多能容纳 2 (2 +1)个电子。 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后， 能带最多能容纳２Ｎ(2 +1)个电子。 电子排布时，应从最低的能级排起。 有关能带被占据情况的几个名词： 1．满带（排满电子） 3．价带（最高的满带） 2．空带（未排电子） 5．禁带（不能排电子） 2ｐ、３ｐ能带，最多容纳 6Ｎ个电子。 例如，1ｓ、２ｓ能带，最多容纳 2Ｎ个电子。 ２Ｎ(2 +1) 4. 导带（最低的未满带或空带） … 价带：价电子能级分裂后形成的能带。 有的晶体的价带是导带； 有的晶体的价带也可能是满带。 3.空带：所有能级均未被电子填充的能带。 ·由原子的激发态能级分裂而成，正常情况下空着； ·当有激发因素(热激发、光激发)时，价带中的电子可被激发进入空带； ·在外电场作用下，这些电子的转移可形成电流。所以，空带也是导带 4.禁带：在能带之间的能量间隙区，电子不能填充。 ·禁带的宽度对晶体的导电性有重要