第三章:光电转换的物理基础
第三章:光电转换的物理基础 §3-1 能带理论基础 引言 固体受光照射时引起光吸收,从而改变电子的运动状态,即产生光电效应;反之,在电场作用下,固体中的电子在能级间跃迁引起光辐射,即产生发光效应。利用固体的这些光电性质制成的器件就是固体光电器件。 固体光电器件中对光电信息转换起实质性作用的是不同材料的能带结构和半导体材料吸收光子能量后所产生的各种光电效应。光电信息技术所涉及的固体光电器件中,半导体材料扮演着重要的角色,它是光电信息产业的主要支柱。本章以能带理论为基础,系统地介绍了半导体和PN结的概念以及光电信息转换技术中的主要光电效应。 锂原子中的电子能带 按照原子理论,每一能带是与一个原子的能级相关联的。占有某个原子能级的电子数受泡利不相容原理的限制,同样晶体中一个晶格的能带内所能容纳的电子数也受这一原理的限制。对于锂晶体中相当于2s原子能级的能带。每个s能级至少可以容纳2个电子,所以n个锂原子的结晶体的晶格中该2s能带可以容纳2n个电子。然而每个锂原子只有1个2s电子,所以在n个锂原子的结晶格中只会有n个电子在2s能带内,也就是说该能带只填满了一半。这就是金属的特征,即能带是部分填满的。 半导体晶体中的电子能量与金属中的电子能量有显著的不同。如图2-2(a)所示的硅原子中,内层电子的能级都是被电子填满的。当原子组成晶体后,与这些内层能级对应的能带也是被电子所填满的。
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