彭义模电课件模拟电子技术第1章-第2章gai.ppt

判断电路中各二极管是否导通,并求A,O 两端的电压值. 设二极管正向电压降为0.7V. 在下图所示的各限幅电路中, 设二极管是理想的,试画出当输入电压为正弦波信号时, 各自的输出电压波形. 设下图所示电路中, 二极管为理想器件, 输入电压由0V变化到140V.试画出电路的电压传输特性. 练习: 设下图所示电路中, 二极管为理想器件, 输入电压vi = 10sinωt.试画出电路的电压输出波形. 在下图所示的各限幅电路中, 设二极管是理想的,试画出当输入电压为正弦波信号时, 各自的输出电压波形. VDD vD iD R 解：(1) VDD =10V ? 理想模型：D加正偏，导通时正向压降为0。 ? 恒压降模型：导通时正向压降为0.7V。(锗约为0.2V) + _ 32 ? 折线模型 ( Piecewise Linear Model ) VDD rD iD R Vth + _ vD 33 (2) VDD = 1V 理想模型： 恒压降模型： 折线模型： 当VDD较低时，折线模型得出的结果合理些。 34 例2－2 用恒压降模型计算下图中流过二极管中的电流 ID。 5V 3K 3K A ID B 10V 35 解：把二极管以外的部分用一个电压源和一个电阻串联等效（运用戴维南定理） 2.5V A ID B 1.5K 二极管正向导通 其正向压降为0.7V。 若用折线模型 36 例2－3 一限幅电路如下图，R=1K， VREF= 3V. 设vi = 6sin?tV。试绘出相应的输出电压v0的波形。(用折线模型分析) 解：折线模型为 vi v0 Vth + _ + _ D rD 0.2K R iD VREF 0.5V vi v0 VREF + _ + _ R D . 37 当vi的幅值大于VREF + Vth = 3.5V时，管子导通。 vo = VREF + Vth + rD · iD = 3.5 + 0.2 iD 当vi的幅值为6V时， ? 管子导通时vo的波形如蓝线所示。 ?t vi 3.5 3.92 vi vo 6 否则，管子截止。 vo= vi。 vo波形如红线所示 38 vI1 R=4.7 k D2 D1 vI2 Vcc+5V 输入 输出 0 0 0 0 5 0 5 0 0 5 5 5 vO vI1 vI2 vO 3. 开关电路 例2.4.3 当 和 为0 V 或5V 时,求 和 的值不同组合情况下,输出电压 的值. vI1 vI2 vI1 vO vI2 39 §2.5 特殊二极管 齐纳二极管(稳压二极管)( Zener Diode ) 1. 特点： ? 掺杂浓度高（容易形成强电场） ? 作稳压用，一般工作在反向击穿区 40 2. 伏安特性曲线: ( I—V Characteristics ) 正向特性和普通二极管同 反向击穿区曲线越陡，即动态电阻 rZ 越小，稳压性能越好。 图2－15 V(V) I(mA) O 41 3. 符号 ( symbol ) 用2CW，2DW命名 + － + _ a k 42 + _ + _ VI VO IR IZ IO( IL) R RL DZ RL IO VO IR IZ IR VO 43 RL IO IR VO VO IZ IR + _ + _ VI VO IR IZ IO( IL) R RL DZ 44 例2－4设硅稳压管DZ1、 DZ2的稳定电压分别为5V、10V，又已知DZ1、 DZ2正向压降为0.7V，求V0 解：(a) DZ1、 DZ2工作在反向击穿区 ? V0 = 5 +10 =15V (b) DZ1、 DZ2工作在正向导通区 ? V0 = 0.7 + 0.7 =1.4V DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (a) DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (b) (恒压降模型) 45 19kΩ 1kΩ 6V D A O VAO + _ 19kΩ 1kΩ 6V D A O VAO + _ 3V ( a ) ( b ) vI1 R=10 k D2 D1 vI2 Vcc- 10V vO 3. 开关电路 例2.4.4 当 和 为0 V 或5V 时,求 和 的值不同组合情况下,输出电压 的值. vI1 vI2 vI1 vO v