晶体管放大原理解析.doc

晶体管放大原理 . 姓名 学号： 系部：计算机系 专业：计算机科学与技术 指导教师：张 评阅教师：张 完成时间：2012年11月4号 论文摘要 题目：晶体管放大原理 摘要： 1、共射电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数,同时输入电阻和输出电阻适中.所以,在一般对输入电阻,输出电阻和频率响应没有特殊要求的地方,常被采用.例如低频电压放大电路的输入级,中间级或输出级.??共集电路的特点是:输入电阻在三种基本电路中最大;输出电阻则最小;电压放大倍数是接近于1而小于1的正数,具有电压跟随的性质.由于具有这些特点,故应用很广泛.常用于放大电路的输入级,也常用于电路的功率输出级.??共基电路的主要特点是输入电阻小,放大倍数和共射电路差不多,频率特性好.常用于宽频放大器1. 晶体管的结构及类型????晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称场效应管。????晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区）形成的两个PN结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b和集电极c）。????晶体管根据掺杂类型不同，可分为NPN型和PNP型两种；根据使用的半导体材料不同 ，又可分为硅管和锗管两类。????晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用????晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。在这种偏置条件下，发射区的多数载流子扩散到基区后，只有极少部分在基区被复合，绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压，可以达到控制集电极电流的目的。????晶体管的电流分配关系如下： ????其中电流放大系数和之间的关系是=/(1＋)，=/（1－）；ICBO 是集电结反向饱和电流，ICEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流，并且ICEO=(1＋)ICBO。????在放大电路中，通过改变UBE，改变IB或IE，由ΔIB或ΔIE产生ΔIC，再通过集电极电阻RC，把电流的控制作用转化为电压的控制作用，产生ΔUO=ΔICRC。实质上，这种控制作用就是放大作用。 3. 晶体管的工作状态????当给晶体管的两个PN结分别施加不同的直流偏置时，晶体管会有放大、饱和和截止三种不同的工作状态。这几种工作状态的偏置条件及其特点如表2.1所列。 表2.1?? 晶体管的三种工作状态 工作状态 直流偏置条件 各电极之间的电位关系 特点 NPN PNP 放大 发射结正偏，集电结反偏 UCUBUE UCUBUE IC =βIB 饱和 发射结正偏，集电结正偏 UB UE ，UB UC UB UE ，UB UC UCE=UCES 截止 发射结反偏，集电结反偏 UB UE， UB UC UB UE ，UB UC IC=0 4. 伏安特性及主要参数（1）共射极输入特性（以NPN管为例）????输入特性表达式为：。当UCE=0时，输入特性相当于两个并联二极管的正向特性。当UCE0时，输入特性右移，UCE≥1V后输入特性基本重合。因为发射结正偏，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。（2）共射极输出特性（以NPN管为例）????共射极输出特性表达式为：。晶体管输出特性曲线的三个区域对应于晶体管的三个工作状态（饱和、放大和截止）。????a）饱和区：此时UCE很小，集电区收集载流子的能力很弱。IC主要取决于UCE，而与IB关系不大。????b）放大区：位于特性曲线近似水平的部分。此时，IC主要取决于IB，而与UCE几乎无关。????c）截止区：位于IB=－ICBO的输出特性曲线与横轴之间的区域。此时，IC几乎为零。（3）主要参数????a）直流参数：共基极直流电流放大系数，共射极直流电流放大系数；集电极—基极间反向饱和电流ICBO，集电极—发射极间穿透电流ICEO 。????b）交流参数：共基极交流电流放大系数，共射极交流电流放大系数，其中，；共基极截止频率，共射极截止频率，特征频率，其中。????c）极限参数：集电极最大允许功率耗散PCM，集电极最大允许电流ICM ；反向击穿电压：U（BR）CEO，U（BR）EBO，U（BR）CBO。（4）温度对参数的影响????温度每增加1，UBE将减小 (2~2.5)mV；温度每增加10左右， ICBO增加一倍；温度每增加1，β增大（0.5～1）%。 2.2 放大电路的组成及工作原理1. 放大电路的组成原则????放大电路的作用是把微弱的