第2-1章 三极管_BJT.ppt

2 三极管 三极管的不同封装形式 4.1 小结 三极管（晶体管，BJT）是电流控制器件 三极管要实现放大作用，必须工作在放大区。 4.1 试题常见类型 三极管基础知识正确性的判断； 三极管工作状态的判断； 由管子的特性求解主要参数（例如给出一个输出特性曲线，求?值）。 例题 1，三极管在放大区时的集电极电流是由多子漂移形成的？（ no ） 2，当三极管工作在放大区时，发射结电压为 偏置，集电结电压为 偏置。 3，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 判断依据： 1.在放大区，NPN管：VC?VBVE PNP管： VC?VBVE 2.硅管：VBE=0.7V 锗管：VBE=-0.2V 3.7V 3V 12V 11.3V 0V 12V 15V 14.8V 12V 硅管，NPN b e c 硅管，PNP b c e e b c 锗管，PNP 2.1 BJT 2.3 金属-氧化物-半导体场效应管 2.4 场效应管的主要参数 2.2 结型场效应管 2.1 双极型三极管BJT 一个PN结 二极管 单向导电性 二个PN结 三极管 电流放大（控制） 2.1.1 BJT的结构简介 分类： 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。 1. NPN型 NPN管的电路符号 2.PNP型 PNP管的电路符号 正常放大时外加偏置电压的要求 问：若为PNP管，图中电源极性如何？ 发射区向基区注入载流子 集电结应加反向电压（反向偏置） 发射结应加正向电压（正向偏置） 集电区从基区接受载流子 2.1.2 放大状态下载流子的传输过程及电流分配关系 2.电子在基区中的扩散与复合（IBN） 3.集电区收集扩散过来的电子（ICN） 另外,基区集电区本身存在的少子， 在集电结上存在漂移运动，由此形成电流ICBO 三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管 为双极型三极管，记为BJT (Bipolar Junction Transistor) 1.发射区向基区注入电子（IEN、IEP小） 1.三极管内载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 放大状态下BJT中载流子的传输过程 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= INC+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 所以 IC= ?IE+ ICBO ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 又：把 IE=IB+ IC 代入 IC= ?IE+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 整理得： 共基极放大电路 3. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用） 三极管电流传递作用 电压放大 3. 三极管的三种组态 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； BJT的三种组态 三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。 输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以BJT是一种电流控制器件。 两个要点 特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线 输入特性曲线 输出特性曲线 2.1.3 晶体管共射接法时的伏安特性 iB=f(vBE)? vCE=const. (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） + - b