第三章微机械制造技术 微机电系统技术基础课件.ppt

微机电技术基础 第三章微机械制造技术 概述 微机电系统的整体尺寸都比较的小，最小尺寸达到微米到亚微米，甚至达到纳米，特征尺寸如此小的元器件，不能采用传统的精密机械制造方法，而应采用以腐蚀和表面显微加工为基础的微米和纳米加工技术，这种技术目前主要分为硅微加工技术、LIGA技术及特种精密加工技术。由于硅是制造微机电系统应用最多的材料，所以硅微加工技术是本章的重点. 微机械制造技术 3.1 硅微机械制造技术 硅微机械制造技术的基本工艺有：光刻、氧化、化学腐蚀、电化学腐蚀、离子刻蚀、化学气相淀积、物理气相淀积、扩散与注入、外延生长、牺牲层技术、阳极键合。 上面的工艺我们都比较得熟悉，现在根据工艺的不同组合分成硅体型微加工技术、表面微加工技术及硅片的接合技术，下面分别介绍。 微机械制造技术 3.1.1 体型微加工技术 3.1.1.1 化学腐蚀 腐蚀（刻蚀）是一种对材料的某些部分进行有选择地去除的工艺。 腐蚀方法大体分为两种：化学腐蚀和离子刻蚀，前者用化学腐蚀液，故又叫湿法腐蚀；后者采用惰性气体，故又叫干法刻蚀。 微机械制造技术 湿法腐蚀 1.特点：湿法操作简便，可较好地控制结构轮廓，所以实际中常用湿法。 2.注意问题：湿法腐蚀主要是氧化减薄和反应物的溶解，腐蚀过程中主要考虑边缘轮廓、厚度尺寸及表面质量的控制，还需考虑掩膜材料的选择以及腐蚀液的毒性和污染等。 微机械制造技术 腐蚀剂选择 1.对硅的各向同性腐蚀普遍采用：氧化剂HNO3（硝酸）去除剂HF（氢氟酸）及稀释剂H2（水）或CH3COOH(乙酸)混合成的腐蚀剂-- 2.对硅的各向异性腐蚀，常用的腐蚀剂有乙二胺—联氨—邻苯二酚(EDP) 和 水，还有KOH+H2O以及NaOH+ H2O等 微机械制造技术 湿法腐蚀的机理 1.湿法腐蚀的机理是基于化学反应。腐蚀时先将材料氧化，然后通过化学反应，使一种或多种氧化物溶解。 2.这种氧化化学反应要求有阳极和阴极，而腐蚀过程却没有外接电压，所以硅表面上的点便是随机分布的、微观化的阳极和阴极。 微机械制造技术 同性腐蚀的反应过程（HF—HNO3系统） 硅的阳极反应 Si + 2e+ =Si2+ (1) 腐蚀液中的水电离发生下述反应 H2O = (OH)- + H+ (2) Si(HO)2 形成过程 Si2+ + 2(OH)- =Si(OH)2 (3) 微机械制造技术 同性腐蚀的反应过程（HF—HNO3系统） Si(HO)2分解形成的二氧化硅的溶解反应 SiO2 + 6HF =H2SiF6 +2H2O (4) 上述整个反应关系为： Si +HNO3 +6HF = H2SiF6 + HNO2+H2O+H2 上述腐蚀剂中用水作为稀释剂，和水比用乙酸作为稀释剂会更好些（因为乙酸是弱酸，电离度较小，可在更宽范围内起稀释作用，并保持硝酸的氧化能力，使腐蚀液的氧化能力在使用期内相当稳定 一、各向同性腐蚀 各向同性腐蚀完成的工艺过程 1.清除硅表面上的污染或修复被划了的硅表面 2.形成单晶硅平膜片 3.形成单晶硅或多晶硅薄膜上的图案，以及圆形或椭圆形截面的腔和槽等 微机械制造技术 微机械制造技术 各向同性腐蚀总结： 硅能被腐蚀的基本条件是，硅表面必须有空穴。在HF-HNO3系统中， HNO3在化学反应过程中会使硅表面产生空穴，从而使腐蚀得以进行，因此控制硅表面的空穴就可以控制腐蚀特性，也就是控制HNO3的含量就能控制腐蚀的特性。 各向异性腐蚀原因 微机械制造技术 微机械制造技术 各向异性腐蚀的原因 1.硅在不同晶面上的晶胞密度可能是造成各向异性腐蚀的主要原因。 （111）面上的晶胞堆积密度大于（100）面，所以（111）面的腐蚀速率比预期的要慢 2.使硅表面原子氧化所需的能量，这与硅表面上未成对的每个原子悬挂键的密度有关。（100）面上每个硅原子有两个悬挂键，可以结合2个（OH)-；而（111）面上每个硅原子则仅有一个悬挂键，故（100）面比（111）面的腐蚀速率快 3.（111）面较（100）面更容易产生自身预钝化效应，这也是导致（111）面腐蚀速率慢上加慢的一个重要原因。 微机械制造技术 各向异性腐蚀的反应过程： KOH的电离过程 KOH + H2O = K+ + 2(OH)- + H+ 硅的氧化过程 Si + 2(OH)- +4H2O =Si(OH)6 +2H2 在 KOH水溶液中，可以加适量的异丙醇(CH3)2CHOH，产生络合物，改善硅表面的加工质量。 Si(OH)6-2+6(CH3)2?[