湿制工艺精选.docVIP

湿制工艺.txt小时候觉得父亲不简单，后来觉得自己不简单，再后来觉得自己孩子不简单。越是想知道自己是不是忘记的时候，反而记得越清楚。分辨率高 分辨率是指某种光刻胶光刻时所能得到的最小尺寸.它通常用1mm的宽度上能刻蚀出可分辨的最大线条数目来表示.若能刻蚀出可分辨的最小线宽为W/2,线与线之间距离也为W/2,则分辨率为1/W,单位为条线 . 分辨率与光刻工艺有关;也与光致抗蚀剂本身的结构性质有关.例如正性胶的分辨率高于负性胶;光刻胶的平均分子量越低,分子量的分散性越小,则分辨率越高. ⑵灵敏度高 光致抗蚀剂的感光灵敏度反映了光刻胶感光所必须的照射量,照射量正比于光强和暴光时间.对于正性胶,灵敏度定义为暴光显影后膜后为零时的最小照射量;对于负性胶,灵敏度是指暴光显影后膜厚可保留至原膜厚二分之一的照射量。 光刻胶的感光灵敏度和光刻胶的性质及光刻工艺有关。例如，由于负性胶在暴光时其交联反应会出现连锁反应，因而负性胶一般比正性胶具有更高的灵敏度。在工艺上，涂胶厚度，显影条件，光源的光谱成分以及增感剂的作用等都对灵敏度有影响。 ⑶粘附性好 抗蚀剂与衬底（如SIO2，金属等）之间粘附的牢固程度直接影响到光刻的质量。影响粘附性的因素有抗蚀剂的性质，衬底的性质及其表面情况。实践表明，平整，致密，清洁，干燥的衬底表面有利于光刻胶的粘附。衬底表面的灰尘，油污，水汽以及高低不平，会形成光刻胶粘附的薄弱区域。 由于大多数抗蚀剂都是疏水性的，而湿氧氧化的SIO2表面含有硅醇基（—Si—OH），羟基形式的表面很容易因氢键的作用而吸附水分子，形成亲水性表面。疏水性的抗蚀剂和亲水性衬底之间的粘附性很差。在生产中，湿氧氧化后一般都要用高温干氧吹干表面，以形成硅氧桥表面结构（O—SI—O），从而改善其粘附性。为了避免硅片表面粘污和水汽的不良影响，最好从高温炉中取出后立即进行涂胶，以保证光刻胶和衬底之间有良好的粘附性。此外，粘附性与胶膜厚度，暴光和烘焙因素也有密切关系。 ⑷抗蚀性好 光刻工艺要求抗蚀剂在坚膜后，能较长时间地抵抗腐蚀剂的侵蚀。光致抗蚀剂的抗蚀性与其本身的性质有关。例如环化橡胶类抗蚀剂比聚肉桂酸酯类抗蚀剂有更好的抗蚀性能。 ⑸稳定性好 光刻工艺要求抗蚀剂在室温和避光的情况下，即使加入了增感剂也不发生暗反应；在烘烤干燥时，不发生热交联。为了提高抗蚀剂的稳定性，可能加入能抑制活性基团自发反应的稳定剂。例如，KPR胶可以加对苯二酚等。 此外，还要求光刻胶成膜性好，致密性好，针孔密度低，固态微粒含有率低，显影后无残渣，刻蚀后易去除干净等性能。 ⒋光刻胶的配制 光刻时，需根据具体要求将光致抗蚀剂配成胶状液体，称为光刻胶。光刻胶配制时，应根据不同的刻蚀要求，选取合适的抗蚀剂，增感剂和溶剂。 溶剂的用量决定着光刻胶的稀稠，从而影响光刻胶膜的厚薄。光刻胶膜薄，暴光时光的散射和衍射作用影响较小，显影时间也缩短，因此光刻图形清晰，边缘整齐，有利于提高分辨率。但胶膜薄时，抗蚀能力降低，针孔密度会增加。所以，应根据各次光刻对分辨率和抗蚀性的要求来决定光刻胶的浓度。配比选择的一般原则是在保证抗蚀能力的条件下，用较薄的胶膜，以提高分辨率。 增感剂的用量，决定着光刻胶的感光灵敏度。光刻胶中加入适量增感剂，可以缩短暴光时间。增感剂用量过多，光在感光膜表面被强烈吸收，会造成内层光刻胶暴光不足，显影时出现浮胶。增感剂过多还会使胶膜变脆，增感剂在显影时被溶解还会使针孔密度增加。因此增感剂的用量必须适当。 1．涂胶 涂胶就是在SIO2或其他薄膜表面，涂布一层粘附良好，厚度适当，厚薄均匀的光刻胶膜。涂胶前的硅片表面必须清洁干燥，如果硅片搁置较久或光刻返工，则应重新进行清洗并烘干后再涂胶。生产中，最好在氧化或蒸发后立即涂胶，此时硅片表面清洁干燥，光刻胶的粘附性较好。 涂胶一般采用旋转法，其原理是利用转动时产生的离心力，将滴在硅片的多余胶液甩去，在光刻胶表面张力和旋转离心力共同作用下，扩展成厚度均匀的胶膜。胶膜厚度可通过转速和胶的浓度来调节。 涂胶的厚度要适当，膜厚均匀，粘附良好。胶膜太薄，则针孔多，抗蚀能力差；胶膜太厚，则分辨率低。在一般情况下，可分辨线宽约为膜厚的5～8倍。 2．前烘 前烘就是在一定的温度下，使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来，使胶膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。 前烘的温度和时间随胶的种类及膜厚的不同而有所差别，一般通过实验来加以确定。 前烘的温度和时间必须适当。温度过高会引起抗蚀剂的热交联，在显影时留下底膜，或者增感剂升华挥发使感光灵敏度下降；前烘温度过低或时间过短，则抗蚀剂中的有机溶剂不能充分挥发，残留的溶剂分子会妨碍光交链反应，从而造成针孔密度增加，浮胶或图形变形等。同时，前烘时还不能骤热，以