第十四章 半导体器件(简明版).ppt

纯净的半导体（本征半导体）中含有自由电子（带负电）和空穴（带正电）两种运载电荷的粒子——载流子。 自由电子和空穴数量相等，整个半导体呈现电中性。 图中的○表示能移动的空穴, 表示不能移动的负离子。N区中的实心点●表示能移动的自由电子， 表示不能移动的正离子 。 由于P区中的空穴浓度高于N区，故空穴从P区向N区扩散，并与N区的电子复合。 同样N区的电子也向P区扩散，并与P区的空穴复合。 于是在交界面一侧的P区留下了一些带负电的三价杂质离子，在交界面另一侧的N区留下一些带正电的五价杂质离子。这些离子是不能移动的，因而在交界面两侧形成了一层很薄的空间电荷区，这就是PN结。 二极管是有一个PN结加电极引线和管壳组成。 由P区一侧引出的电极称为阳极，N区一侧引出的电极称为阴极，二极管的导电方向由阳极指向阴极 . 二极管是一个PN结，具有单向导电的特性。 外部特性用管子的端电压和管子中电流的对应关系曲线来表示，这就是二极管的伏安特性。 包括正向和反向两部分。 当外加电压很低时，外加电压不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散的运动的阻力，故正向电流很小，几乎为0。 当正向电压超过一定数值时，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为“死区电压”，其大小与材料和环境温度有关，温度升高，死区电压减小，通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。 稳压二极管工作在PN结的反向击穿状态。 利用它反向击穿情况下管子电流变化很大而电压基本不变这一特性。 稳压管就工作在他的反向击穿区。 从反向特性曲线可以看到，反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小。当反向电压增大到击穿电压时，反向电流突然剧增，稳压管反向击穿。此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。稳压管在电路中能起稳压作用。 实际使用时，必须串联适当的限流电阻，确定电流在他的允许范围内。 在晶体管的图形符号中，发射极上的箭头表示发射极电流IE的方向，PNP的IE是从发射极流出来，PNP管则相反。国内生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型 输入和输出特性曲线 输入特性曲线是指以uCE为参考变量时，iB和uBE之间的关系，即： iB=f（uBE）|uCE=常数。 输出特性 输出特性曲线是以iB为参考量时，iC和uCE之间的关系，即：iC=f（uCE）|iB=常数。 对应某一个IB值，就有一条相应的iC-uCE曲线，故输出特性是一族曲线。 截止区 习惯上把IB=0时iC-uCE曲线以下的区域称为截止区。IB=0时集电极电流用ICEO表示。ICEO的值很小，若忽略不计，集电极和发射极之间相当于开路，即晶体管相当于一个处于断开状态的开关。 放大区 发射结正向偏置、集电结反向偏置时晶体管处于放大状态，相应的区域就是放大区。在放大区，输出特性是一组以IB为参变量的几乎平行与横轴（略有上翘）的曲线族。 饱和区 当uCEuBE时，集电极电位低于基极，集电结处于正向偏置，晶体管处于饱和状态。uCE=uBE为临界饱和。 图中虚线表示出了临界饱和点的轨迹，虚线以左的区域为饱和区。 晶体管处于饱和状态时，发射结和集电结均为正向偏置，集电极和发射极之间的电压为饱和压降，用UCES表示。UCES的值很小，通常硅管约为0.3V，锗管约为0.1V。故晶体管饱和时相当于一个处于接通状态的开关。 小结： 放大电路中，晶体管工作在放大区，以实现放大作用； 在开关电路中，晶体管则工作在截止区或饱和区，相当于一个开关的断开或接通。 (1-*) N N P RB EB 1.5.2 电流放大原理 EC 集电结反偏 发射结正偏 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 电子与基区空穴复合形成IB IB 穿过集电结形成IC IC 三个极电流的关系为 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 下一页 上一页 首 页 它就是一个以b(基极)电流Ib来驱动流过CE的电流Ic的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门 . 左边细管子里蓝色的小水流冲动杠杆使大水管的阀门开大，就可允许较大红色的水流通过这个阀门。当蓝色水流越大，也就使大管中红色的水流更大。 如果放大倍数是100，那么当蓝色小水流为1千克/小时，那么就允许大管子流过100千克/小时的水。三极管的原理也跟这个一样，放大倍数为100时，当Ib(基极电流)为1mA时，就允许100mA的电流通过Ice。 这个原理大家可能也都知道，但是把它用在电路里的状况能理解，那单片机的运用就少了一大障碍了。最常用的连接如下图. 放大倍数是100，基极电压我们不计。 IB=10V÷10K＝1mA，IC=100mA。 URc上的电压就是0.1A×50Ω＝5V; 那么剩下的5V就吃在了三极